Моделирование процессов ионной имплантации
Категория реферата: Рефераты по химии
Теги реферата: белорусские рефераты, курсовая работа бизнес
Добавил(а) на сайт: Зубов.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 | Следующая страница реферата
Рис. 2.1. Окно ввода данных (задача№2)
Затем выводится окно, в котором представлены результаты расчета (Рис.
2.2.).
[pic]
Рис. 2.2. Результаты расчета задачи№2
3. Расчет ионно-имплантированных структур с покрытием и без покрытия.
. Данная задача находится еще в проекте!
3. Математическая модель.
Задача№1:
Глубина проникновения в вещество характеризуется пробегом. Траектория
отдельных ионов в кристалле подобны ломанным линиям, каждый прямолинейный
участок и полная длина которых отличаются друг от друга. Вся совокупность
пробегов отдельных ионов группируется по закону нормального распределения
случайной величины со значением среднего полного пробега R и
среднеквадратичным отклонением пробега (R. Практическую важность имеет
средний нормальный пробег Rp – проекция траектории среднего полного пробега
на направление первоначальной скорости иона и его среднеквадратичное
отклонение (Rp. Для расчета среднего полного пробега R (см) иона с энергией
Е (эВ) используют формулы, в которых энергия и пробег выражены в
безразмерных единицах ( и ( соответственно:
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
Здесь L-нормирующий множитель пробега, см-1; F-нормирующий множитель энергии, 1/эВ.
Радиус экранирования заряда ядра атомными электронами (см):
[pic]
Коэффициент передачи ионом с массой М1 атому с массой М2 максимально возможной энергии при лобовом столкновении:
[pic]
Коэффициенты, учитывающие торможение, обусловленное ядерным электронным взаимодействием:
[pic]
[pic]
Параметры, учитывающие торможение, обусловленные ядерным взаимодействием, с=0.45, d=0.3.
Собственная концентрация атомов в кристалле N2, см-3, заряды ядер иона Z1, атомов мишени Z2.
Профили распределения концентрации внедренных ионов определяются характером распределения средних нормальных пробегов по глубине облученного слоя. Пучок ионов, попадая в такие вещества, испытывает случайные столкновения с атомами, и распределение пробегов описывается законом распределения случайной величины. Аналогичная ситуация наблюдается и в монокристаллах, если ионный пучок попадает на произвольную ориентированную поверхность пластины относительно кристаллографических направлений с малыми индексами, например вдоль оси (763). Такое внедрение называют не ориентированным. В этом случае профиль внедренных атомов описывается, как и для аморфных веществ, кривой Гаусса:
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: ответы 11 класс, рефераты дипломы курсовые, изложение.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 | Следующая страница реферата