Логические элементы и их электронные аналоги
Категория реферата: Рефераты по цифровым устройствам
Теги реферата: куплю диплом, реферат этикет
Добавил(а) на сайт: Kaverin.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 | Следующая страница реферата
Логический элемент ИЛИ.
Логическое утверждение «Если А или В истинно, тогда Q истинно»
записывается так А+В=Q, где знак «+» есть символ, обозначающий операцию
ИЛИ. Соответствующая этому определению Функциональная табл. 2. показывает, что выход получается при наличии любого входного сигнала. Принципиальная
схема двухвходового логического элемента ИЛИ в ТТЛ-исполнении приведена на
рис. 6, а. В соответствии с правилами логического сложения, если на входах
А и В действуют сигналы логических 0, переходы база - эмиттер транзисторов
VT1 и VT4 открыты и через них протекает ток. При этом, очевидно, через
переходы база - коллектор в транзисторах VT1 и VT4 ток не протекает, вследствие чего закрыты транзисторы VT2 и VT3 и на их общем сопротивлении в
цепи эмиттеров R2 нет падения напряжения, т.е. выходной сигнал Q
соответствует логическому 0. Если на одном из входов А или В действует
сигнал положительной полярности, соответствующий логической 1, то
происходят запирание перехода база — эмиттер транзистора VT1 (или VT4) и
отпирание перехода база — коллектор. Это приводит к отпиранию транзистора
VT2 (или VT3 и появлению на резисторе R2 - на выходе Q — почти полного
напряжения источника питания (за вычетом падения напряжения в несколько
десятых долей вольта на полностью открытом транзисторе VT2 или VT3. При
подаче сигнала 1 на оба входа А и В открываются и оба выходных транзистора
VT2 и VT3, что приводит к некоторому увеличению напряжения на выходе Q.
Таким образом, рассмотренная электронная схема выполняет логическое
сложение ИЛИ.
[pic] [pic]
Рис. 6. Логический элемент ИЛИ, выполненный на биполярных (а) и И МОП- транзисторах (б)
Логический элемент ИЛИ на МОП-транзисторах может быть выполнен по
схеме, приведенной на рис. 6, б. В этой схеме транзисторы VT1 и VT2
включаются при подаче на их затворы положительного напряжения логической 1
и выключаются, если действует напряжение логического 0. Транзистор VT3
используется вместо резистора и постоянно открыт, что приводит к
потреблению энергии питания, в то время когда открыты транзисторы VT1 и
VT2.
Логический элемент НЕ.
Это операция применяется в случаях, когда требуется иметь противоположные значения переменной. Противоположное значение переменной называется дополнением этой переменной Символически для НЕ оно обозначается чертой над соответствующей переменной величиной: А=Q.
В простейшем случае элемент НЕ инвертор - может быть выполнен на
биполярном (или полевом) транзисторе с общим эмиттером (рис. 7, а). Когда
на входе А действует сигнал 0, транзистор VT тока" не проводит и напряжение
на выходе Q максимально, практически равно напряжению источника питания и
соответствует сигналу 1. Если на входе действует положительное напряжение, соответствующее сигналу 1, транзистор VT (n - p - n-типа) отпирается, переходит в режим насыщения и напряжение на выходе Q снижается до уровня
0,1—0,3 В, соответствующее сигналу 0. Таким образом, схема инвертирует
входной сигнал. У рассмотренной схемы НЕ много недостатков: малы
быстродействие и нагрузочная способность и весьма низка помехоустойчивость.
Поэтому на практике используют более сложные схемы. В частности, на рис. 7, б приведена схема инвертора семейства ТТЛ на основе многоэмиттерного
транзистора VT1. При напряжении логического 0 на входе А создаются условия
для протекания тока в транзисторе VT1 только в цепи перехода эмиттер-база
(на рис. 7, б указаны два параллельно соединенных эмиттера, работающих как
один), а переход коллектор-база закрыт, вследствие чего нет тока в цепи
базы транзистора VT2 и он заперт. При этом на его коллекторе имеется
напряжение, близкое к напряжению источника питания. Это напряжение
действует на базу транзистора VT3, что приводит к его полному отпиранию. В
то же время транзистор VT4 заперт, поскольку на его базу не подается
никакого напряжения, так как транзистор VT2 закрыт, ток через него не
проходит и на резисторе R2 нет напряжения (которое могло бы открыть
транзистор VT4). Таким образом, поскольку транзистор VT3 открыт, а VT4
закрыт, на выходе Q действует положительное напряжение, близкое к
напряжению источника питания, что соответствует логической 1. Если на вход
А подается напряжение логической 1, то переход эмиттер - база транзистора
VT1 запирается, но создаются условия для протекания тока через его переход
коллектор - база и тем самым для протекания тока через базу транзистора
VT2, что приводит к его отпиранию и переходу в режим насыщения. При этом
транзистор VT3 запирается (так как на коллекторе VT2 действует слишком
низкое напряжение), а транзистор VT4 отпирается, так как на его базу
подается с резистора R2 напряжение в положительной полярности. Таким
образом, через малое сопротивление открытого транзистора VT4 выход
соединяется с общей шиной «землей» и напряжение на нем оказывается почти
нулевым и схема работает как инвертор. Диод VD, включенный на вход А, защищает схему от перегрузки по входу.
Существенно повысить быстродействие инвертора и снизить расход энергии питания позволяет применение диодов Шоттки, включаемых параллельно переходу коллектор - база биполярного транзистора (рис. 7, в). Такое соединение называется транзистором Шоттки и обозначается в электронных схемах, как показано на рис. 7, в. Среднее время задержки сигналов в логических элементах ТТЛШ порядка 1,5 нс при средней потребляемой мощности около 20 мВт на один логический элемент.
Применение МОП-транзисторов позволяет почти в 10 раз увеличить число активных элементов на кристалле интегральной микросхемы и более чем в 103 раз уменьшить потребление энергии питания по сравнению с биполярными транзисторами. Однако почти в 10—20 раз уменьшается быстродействие (в первую очередь, из-за больших емкостей на входе и выходе транзисторов и очень высоких входных сопротивлений).
Инвертор на МОП-транзисторах с n-каналами может быть выполнен по
схеме, приведенной на рис. 8, а. Транзистор VT1, на затвор которого
подается напряжение в отпирающей полярности, выполняет роль резистора
(сопротивление которого может быть сделано любым - в пределах от сотен омов
до сотен кило-омов - в зависимости от технологии изготовления и напряжения
на затворе). Если на входе А действует сигнал 0, то транзистор VT2 закрыт и
напряжение на выходе Q практически равно напряжению источника питания, т.
е. соответствует напряжению логической 1. Когда на вход А действует
положительное напряжение, соответствующее напряжению логической 1, то
транзистор VT2 открывается (его сопротивление при этом составляет всего 300
- 500 Ом) и напряжение на выходе Q становится весьма малым (десятые доли-
единицы вольт), что соответствует логическому 0. Существенное повышение
быстродействия (и снижение потребления энергии питания) достигается при
использовании комплиментарной пары КМОП-транзисторов.
Схема КМОП-инвертора приведена на рис. 8, б. Если на входе А схемы действует напряжение логического нуля, то транзистор VT1, имеющий р-канал, полностью открыт, поскольку его затвор при этом соединен с общим проводом и поэтому на него подается напряжение в отпирающей полярности относительно истока, соединенного с плюсом источника питания. Транзистор VT2 имеющий n- канал, заперт, вследствие чего напряжение на выходе Q максимально и соответствует напряжению логической 1. Когда на вход А подается положительное напряжение логической 1, то транзистор VT1 запирается, а транзистор VT2 полностью отпирается, вследствие чего напряжение на входе Q становится нулевым. Быстродействие этой схемы по сравнению с предыдущей существенно увеличивается благодаря тому, что заряд-перезаряд паразитных емкостей происходит через весьма малые сопротивления полностью открытых транзисторов VT1 и VT2. Потребление энергии питания снижается до уровня десятых долей микроватта на один элемент потому, что схема потребляет ток, в сущности, только во время переключения, когда один транзистор открывается, другой закрывается. В остальное время — при 0 или 1 — всегда один из транзисторов закрыт и ток от источника питания не потребляется.
[pic]
Рис. 7. Логический элемент НЕ, выполненный на обычном биполярном транзисторе (а); многоэмиттерном транзисторе с дополнительным усилителем (б); Транзистор Шоттки и его условное графическое изображение в электронных схемах (в).
[pic]
Рис. 8. Логический элемент НЕ, выполненный на МОП- транзисторах с n-каналом (а), комплиментарной паре МОП- транзисторов с n- и р-каналами (б).
Логический элемент И – НЕ.
Более универсален элемент И-НЕ, позволяющий одновременно с операцией логического умножения выполнить и отрицание, тем более что в большинстве случаев это не усложняет схемы. Например, на рис. 9, а приведен МОП-вариант схемы логического элемента И-НЕ. Транзистор VT1 используется вместо сопротивления нагрузки и постоянно открыт, ибо на его затвор подается напряжение в отпирающей полярности. Если на затворы транзисторов VT2 и VT3 поданы напряжения логического 0, то они заперты, тока не проводят и на выходе Q действует почти полное напряжение питания, т. е. напряжение логической 1. Если подается напряжение логической 1 только на один из входов А или В, то состояние схемы не изменяется и напряжение на выходе остается неизменным. Однако, если на оба входа действуют напряжения логических 1, то оба транзистора VT2 и VT3 отпираются, их внутреннее сопротивление уменьшается (до 500 - 1000 Ом) и напряжение на выходе Q также становится весьма малым, т. е. на выходе действует логический 0 - в полном соответствии с таблицей истинности И-НЕ (табл. 4.).
Недостаток схемы - при подаче на входы A и В одновременно напряжений
логических 1 схема потребляет ток от источника питания. Если же элемент И-
НЕ выполнен на КМОП-транзисторах, то этого не происходит. В частности, на
рис. 9, б дается схема подобного элемента. Транзисторы VT1 и VT2 имеют р-
каналы, вследствие чего, когда на их затворах (входах A, В) действуют
сигналы логических 0, они полностью открыты и на выходе Q имеется
положительное напряжение логической 1. При этом транзисторы VT3 и VT4
полностью заперты, ибо имеют n-каналы. Когда на оба входа A, В одновременно
действуют положительные напряжения логических 1, транзисторы VT1 и VT2
запираются и напряжение с выхода Q снимается. При этом транзисторы VT3 и
VT4 отпираются и выход оказывается соединенным с общим проводом через малое
сопротивление (500 - 1000 Ом). Если на одном из входов действует напряжение
логического 0, а на другом - напряжение логической 1, то один из
транзисторов с р - каналом (VT1 или VT2) запирается, но другой остается
открытым, и поскольку они включены параллельно, на выходе остается
напряжение логической 1. При этом один из транзисторов с n-каналом (VT3 или
VT4) оказывается открытым; другой - закрытым, и, поскольку они включены
последовательно, шунтирования выхода Q малым сопротивлением не происходит и
напряжение на выходе оказывается высоким. Таким образом, сама схема тока не
потребляет (разве что в те мгновения, когда происходит процесс ее
переключения — но это, в среднем, доли микроватта). ТТЛ-вариант схемы
логического элемента И-НЕ дан на рис. 5, в. Из рассмотрения рисунка вполне
очевидно, что схема представляет собой стандартный элемент И (рис. 5, в), к
которому добавлен выходной стандартный усилитель — от инвертора (см. рис.
7, б). Условные изображения логического элемента И-НЕ дана на рис. 9, г.
[pic]
Рис. 9. Логический элемент И-НЕ, выполненный на МОП-транзисторах с га-каналами (а), многоэмиттерном биполярном транзисторе и дополнительном усилителе (б), комплементарных МОП-транзисторах (в) и условные графические обозначения элементов ИЛИ-НЕ и И-НЕ в электронных схемах (г)
Логические элементы ИЛИ-НЕ.
Изменив схему логического элемента ИЛИ на МОП-транзисторах возможно
получить новый, более универсальный элемент ИЛИ-НЕ, осуществляющий
одновременно с логическим сложением ИЛИ и логическое отрицание (инверсию)
НЕ. Для этого активные элементы должны быть использованы не в режиме
повторителей (как в схеме рис. 6, б), а в режиме усилителей-инверторов, что
легко достигается перенесением общего сопротивления нагрузки из цепи
истоков в цепь стоков. На рис. 10, а приведена такая схема логического
элемента ИЛИ-НЕ. При сигналах логического 0 на входах А и В транзисторы VT2
и VT3 заперты, а поскольку транзистор VT1 постоянно открыт и играет роль
сопротивления нагрузки, то на выходе Q действует положительное напряжение
логической 1. Если на одном из входов А или В (или одновременно на двух)
действует положительное, напряжение, соответствующее логической 1, то
транзистор VT2 или VT3 или оба вместе оказываются открытыми и напряжение на
выходе Q снижается до нескольких десятых долей-единиц вольт, т. е. до
уровня напряжения логического 0.
[pic] [pic]
[pic]
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: пушкин реферат, зимнее сочинение.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 | Следующая страница реферата