Акустические свойства полупроводников

Категория реферата: Рефераты по физике
Теги реферата: антикризисное управление, бесплатные ответы
Добавил(а) на сайт: Mowenskij.

где S(0) — интенсивность «на входе» кристалла. Величина Г называется коэффициентом поглощения звука.

Для отношения коэффициента поглощения звука Г к величине его волнового вектора q можно получить следующее выражение:

Г / q = ???/((1 + q2R2)2 + (??) 2) (5)

Частотной зависимости этого выражения можно дать следующее наглядное объяснение.
Переменный ток, создаваемый пьезоэлектрическим почтем, вызывает перераспределение свободных зарядов. Перераспределенные заряды, в свою очередь, создают добавочное электрическое поле. Оно, как уже говорилось, направлено противоположно первоначальному электрическому, полю и, следовательно, приводит к уменьшению тока проводимости; ? и есть то время, за которое происходит перераспределение свободных зарядов. При статической деформации заряды перераспределяются и их поле компенсирует (экранирует) пьезоэлектрическое поле. таким образом, что ток становится равным нулю.

Если деформация измеряется с частотой ?, которая гораздо меньше 1/ ?, устанавливается почти полная компенсация. Точнее, поле объемных зарядов в случае переменной деформации, создаваемой звуком, отличается от статического поля на малую величину, пропорциональную ??. Поэтому в пьезоэлектрике протекает переменный ток, пропорциональный той же малой величине ??. Соответственно коэффициент Г, определяемый квадратом плотности тока, оказывается пропорциональным ?2.
В обратном предельном случае больших ?? поле объемных зарядов за период звука вообще не успевает возникнуть. Поэтому при ?? »1 коэффициент пропорциональности между плотностью тока и электрическим полем оказывается вообще независящим от частоты. Не зависит от частоты и коэффициент Г. Член
(??) 2 в знаменателе (5) и обеспечивает предельный переход от одного случая к другому. . Наконец, при qR » 1 коэффициент поглощения быстро убывает при увеличении частоты. Это связано с тем (уже отмечавшимся выше) обстоятельством, что звуковая волна, длина которой гораздо меньше радиуса экранирования, почти не вызывает перераспределения заряда даже в статическом случае.

Коэффициент поглощения достигает максимального значения при частоте ?m =
?0/R, т. е. когда длина волны равна 2?R; максимальное значение Гmo коэффициента поглощения равно ?/4R.

Характер частотной зависимости коэффициента поглощения определяется величиной ?m?. Если ?m? « 1, то максимум получается сравнительно острым.
В противоположном предельною случае коэффициент поглощения растет пропорционально ?2 вплоть до частот порядка 1/?, после чего его рост становится очень медленным. Максимум в этом случае оказывается более пологим. При ? » ?m коэффициент поглощения во всех случаях убывает пропорционально ?2. Семейство Г(?) при разных значениях ?m? приведено на рис. 3.

Интересно проследить характер зависимости коэффициента поглощения Г от электронной концентрации n0. Обычно проводимость ? пропорциональна n0: ? = е n0?, где ? - так называемая подвижность электронов. Таким образом, максвелловское время релаксации ? обратно пропорционально n0. Радиус экранирования R, как мы видели, обратно пропорционален ? n0 (см. (4)).
Поэтому при малых концентрациях электронов коэффициент Г прямо пропорционален n0, а при больших - обратно пропорционален n0. Существует, таким образом, при любой частоте (о некоторая промежуточная концентрация nw, при которой коэффициент Г максимален.
Оценим коэффициент поглощения Г для какого-нибудь типичного случая.
Рассмотрим, например, поперечный звук в CdS, скорость которого ?0 = 1,8 х
105 см/с. Пусть n0 = 5 х 1012 см-3, ? = 3 х 108 с-1, ? = 300 см2/Вс, ? =
0,036, ? = 9,4, Т=300 К. Тогда ? = 3,5 х 10-9 с, R= 1,6 х 10-4 см, q= 1,7 х
103 см-1, и мы получаем, что коэффициент Г составляет около 30 см-1. Это означает, что на расстоянии в 1/30 ~ 0,03 см интенсивность звука затухает в с раз, т. е. теория предсказывает сильное затухание уже при таких малых концентрации и частоте.
А теперь мы переходим, пожалуй, к самому интересному вопросу — анализу влияния электрического поля на поглощение звука. Представим себе, что к пьезоэлектрическому полупроводнику, в котором распространяется звуковая волна, приложено постоянное электрическое поле Е.
Под влиянием постоянного поля Е возмущения электронной концентрации, созданные звуковой волной, движутся со скоростью дрейфа электронов:

V = ?E

Чтобы в этом случае найти изменение электронной концентрации под влиянием переменного поля звуковой волны, удобно перейти к движущейся системе координат, скорость которой по отношению к кристаллической решетке равна V.
В этой системе можно пользоваться выражениями для распределения электронной концентрации, полученными в отсутствие постоянного электрического поля.
Нужно только учесть, что в силу эффекта Доплера частота звука в движущейся системе координат изменяется и оказывается равной ? — qV, где q — волновой вектор звука. В итоге в выражении (5) для отношения Г/q следует произвести замену ? > ? - qV. Это дает:

Г/q = ??(? – qV)?/?0((1 + q2R2) + (? – qV2)?2)

В простейшем случае, когда направление распространения звука параллельно дрейфовой скорости, коэффициент поглощения обращается в нуль при V = ?, т. е. когда дрейфовая скорость электронов становится равна скорости звука. При
V > ? коэффициент поглощения меняет знак. При Г

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки