Определение времени жизни носителей в высокоомном кремнии. Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии
Категория реферата: Рефераты по физике
Теги реферата: ответы по биологии, диплом 2011
Добавил(а) на сайт: Спартак.
1 2 3 4 5 | Следующая страница реферата
Российская Академия Наук
Сибирское отделение
Институт физики полупроводников
Реферат к сдаче кандидатского экзамена по специальности 01.04.10
“Физика полупроводников” на тему:
“ Определение времени жизни носителей в высокоомном кремнии.
Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии.”
Чернявский Е. В. Научный руководитель: к.ф-м. н. Попов В.П.
Новосибирск - 1999
Содержание:
Введение
1. Обзор литературы
2. Определение времени жизни по стандарту ASTM F28-91
3. Механизмы рекомбинации
4. Выводы
Введение
Для биполярных приборов, работа которых связана с инжекцией неосновных носителей, особенно для приборов, работающих в области высоких напряжений, врямя жизни носителей чрезвычайно важно для таких параметров как: падение напряжения в открытом состоянии , динамические характеристики, поткри при выключении. Обычно компромисс между этими конкурирующими параметрами достигается путём облучения электронами, протонами или легированием примесями , дающими глубокие уровни в кремнии. Также время жизни является важным параметром для характеризации высокоомного кремния , его структурного совершенства. В связи с этим измерения времени жизни, возможность его регулирования представляет большой практический интерес.
1. Обзор литературы.
Для многих приборов, таких как высоковольтные тиристоры, необходим большой температурный диапазон работы, в пределах 40( С - 125( С. Поэтому изменение времени жизни носителей в зависимости от температуры может оказать существенное влияние на характеристики прибора.
В программах моделирования полупроводниковых приборов
( одномерных [1], двумерных [2]) решаются стандартные уравнения диффузионно – дрейфового приближения [3]. Обычно применяется модель рекомбинации Шокли – Холла - Рида [4] для одного уровня в запрещённой зоне. Время жизни для электронов и дырок в этой модели описывается как
(р=1 /(pVthNt (n=1 /(nVthNt (1.1) где:
Nt – концентрация рекомбинационных центров.
Vth = (3kT/m)1/2( 107 см/сек – тепловая скорость носителей
(p , (n – сечение захвата электронов и дырок соответственно.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: экологические рефераты, конспект 2 класс.
1 2 3 4 5 | Следующая страница реферата