Вторично-ионная масса спектрометрия
Категория реферата: Рефераты по физике
Теги реферата: реферат на тему деятельность, сочинения по литературе
Добавил(а) на сайт: Михаил.
1 2 3 4 | Следующая страница реферата
Калужский Филиал
Московского Государственного
Технического Университета им. Н. Э. Баумана
Кафедра Материаловедения и Материалов Электронной Техники
КУРСОВАЯ РАБОТА
по курсу МИМ и КЭТ на тему:
“Вторично-ионная масс-спектрометрия“
выполнил: студент гр. ФТМ—81
Тимофеев А. Ю. проверил:
Леднева Ф. И.
г. Калуга
1997 год.
Содержание
Введение 3
Взаимодействие ионов с веществом 3
Вторично-ионная эмиссия 5
Оборудование ВИМС. 8
Принцип действия установок. 9
Установки, не обеспечивающие анализа распределения частиц по поверхности
10
Установки, позволяющие получать сведения о распределении
11 элемента по поверхности, со сканирующим ионным зондом
Установки с прямым изображением 11
Порог чувствительности 12
Анализ следов элементов
14
Ионное изображение
16
Требования к первичному ионному пучку 17
Масс-спектрометрический анализ нейтральных 18
распыленных частиц
Количественный анализ 19
Глубинные профили концентрации элементов 22
Приборные факторы, влияющие на разрешение 23
по глубине при измерении профилей концентрации
Влияние ионно-матричных эффектов на разрешение 25
по глубине при измерении профилей концентрации
Применения 26
Исследование поверхности 26
Глубинные профили концентрации
27
Распределение частиц по поверхности, 27
микроанализ и объемный анализ
Заключение 27
Список литературы 29
Введение
Возможности получения сведений о составе внешнего атомного слоя твердого тела значительно расширялись всвязи с разработкой и усовершенствованием метода вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) и других методов. Большинство таких методов близки к тому, чтобы анализировать саму поверхность, поскольку основная информация о составе материала поступает из его приповерхностной области толщиной порядка 10А, а чувствительность всех таких методов достаточна для обнаружения малых долей моноатомного слоя большинства элементов.
Взаимодействие быстрых ионов с твердым телом приводит к выбиванию
атомов и молекул материала как в нейтральном, так и в заряженном состоянии.
На таком явлении сравнительного эффективного образования заряженных частиц
(вторичных ионов) и на принципе высокочувствительных масс-
спектрометрических измерениях и основан метод ВИМС. Хотя у него, как у
любого другого метода, имеются свои недостатки, только он один дает столь
широкие возможности исследования и поверхности, и объема твердого тела в
одном приборе. Наиболее важными характерными особенностями метода, которые
вызывают повышенный интерес к нему, являются очень низкий порог
чувствительности для большинства элементов (меньше 10-4 моноатомного слоя), измерение профилей концентрации малых количеств примесей с разрешение по
глубине меньше 50А, разрешение по поверхности порядка микрометра, возможность изотопического анализа и обнаружение элементов с малыми
атомными номерами (H, Li, Be и т. д.)
Взаимодействие ионов с веществом
[pic]
Фиг.1. Виды взаимодействий ионов с твердым телом [2].
В этом разделе рассматривается поведение ионов высоких энергий (1 -
100 кэВ), попадающих на поверхность твердого тела. Фиг.1 иллюстрирует 10
разновидностей взаимодействия ионов с поверхностью [2]. Падающий ион может
обратно рассеиваться атомом или группой атомов бомбардируемого образца (1).
Процесс обратного рассеяния обычно приводит к отклонению траектории иона от
первоначального направления после столкновения и к обмену энергией между
ионом и атомом мишени. Обмен энергией может быть упругим и неупругим в
зависимости от типа взаимодействующих частиц и энергии иона.
Импульс иона может быть достаточно велик для того, чтобы сместить
поверхностный атом из положения, где он слабо связан с кристаллической
структурой образца, в положение, где связь оказывается сильнее (2). Этот
процесс называется атомной дислокацией. Ионы с более высокими энергиями
могут вызывать внутренние дислокации в толще образца (3). Если
соударяющиеся с поверхностью образца ионы передают настолько большой
импульс, что полностью освобождают от связей один или несколько атомов, происходит физическое распыление (4). Ионы могут проникать в
кристаллическую решетку и захватываться там, израсходовав свою энергию
(ионная имплантация) (5) . В результате химических реакций ионов
с поверхностными атомами на поверхности образуются новые
химические соединения, причем самый верхний слой атомов может
оказаться в газообразном состоянии и испариться (химическое
распыление) (6). Бомбардирующие положительные ионы в результате
процессса оже-нейтрализации могут приобретать на поверхности
электроны и отражаться от нее в виде нейтральных атомов (7).
Ионы могут оказаться связанными с поверхностью образца
(адсорбированными) (8). При ионной бомбардировке металлических
поверхностей в определенных условиях возможно возникновение
вторичной электронной змиссии (9). Наконец, если поверхностные
атомы возбуждаются до ионизированных состояний и покидают
образец, имеет место вторичная ионная эмиссия (10).
Замедляясь, ион передает энергию твердому телу. При анализе процессов потери энергии удобно различать два основных механизма: соударения с электронами и соударения с ядрами.
Первый механизм состоит в том, что быстрый ион взаимодействует с электронами кристаллической решетки, в результате чего возникают возбуждение и ионизация атомов кристалла. Поскольку плотность электронов в веществе мишени высока и такие столкновения многочисленны, этот процесс, как и в случае потери энергии электронами, можно считать непрерывным .
В рамках второго механизма взаимодействие происходит между экранированными зарядами ядер первичного иона и атомами мишени. Частота таких столкновений ниже, поэтому их можно рассматривать как упругие столкновения двух частиц. Ионы высоких энергий хорошо описываются резерфордовским рассеянием, ионы средних энергий - экранированным кулоновским рассеянием, однако при малых энергиях характер взаимодействия становится более сложным.
Кроме перечисленных выше механизмов вклад в энергетические потери дает обмен зарядами между движущимся ионом и атомом мишени. Этот процесс наиболее эффективен, когда относительная скорость иона сравнима с боровской скоростью электрона ( ~106 м/с) .
Таким образом, полные потери энергии - dЕ/dz можно представить в виде суммы трех составляющих - ядерной, электронной и обменной.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: урок изложение, диплом разработка.
1 2 3 4 | Следующая страница реферата