Импульсный усилитель
Категория реферата: Рефераты по информатике, программированию
Теги реферата: тезис, реферат на тему життя
Добавил(а) на сайт: Andrjushin.
Предыдущая страница реферата | 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 | Следующая страница реферата
Тогда:
(мА)(4.1.2)
Напряжение питания рассчитывается по формуле: (В)
Расчёт величин резисторов производится по следующим формулам:
Ом;(4.1.3)
(4.1.4)
(Ом);(4.1.5)
(Ом);(4.1.6)
Данная методика расчёта не учитывает напрямую заданный диапазон температур окружающей среды, однако, в диапазоне температур от 0 до 50 градусов для рассчитанной подобным образом схемы, результирующий уход тока покоя транзистора, как правило, не превышает (10-15)%, то есть схема имеет вполне приемлемую стабилизацию.
4.2 Пассивная коллекторная термостабилизация
Рисунок 4.2 - Схема пассивной коллекторной термостабилизации.
Пусть URк=10В
Rк= (Ом);(4.2.1)
Еп=Uкэо+URк=10+10=20В(4.2.2)
Rб= =5,36 (кОм)(4.2.3)
Ток базы определяется Rб. При увеличении тока коллектора напряжение на Uкэо падает и следовательно уменьшается ток базы, а это не даёт увеличиваться дальше току коллектора. Но чтобы стал изменяться ток базы, напряжение Uкэо должно измениться на 10-20%, то есть Rк должно быть очень велико, что оправдывается только в маломощных каскадах.
4.3 Активная коллекторная термостабилизация
Рисунок 4.3 - Схема активной коллекторной термостабилизации
Сделаем так чтобы Rб зависело от напряжения Ut. Получим что при незначительном изменении тока коллектора значительно изменится ток базы. И вместо большого Rк можно поставить меньшее на котором бы падало небольшое (порядка 1В) напряжение.
Статический коэффициент передачи по току первого транзистора bо1=30. UR4=5В.
R4===85 (Ом)(4.3.1)
(4.3.2)
Iко1 = Iбо2 =
Pрас1 = Uкэо1*Iко1 = 5*1,68*10-3 = 8,4 мВт
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: административное право шпаргалки, реферат по обже.
Предыдущая страница реферата | 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 | Следующая страница реферата