Предыдущая страница реферата | 5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15 | Следующая страница реферата

б) Однонаправленная модель.[4]

Однонаправленная модель представлена на рис.1.8.

Рисунок 1.8 - Однонаправленная модель.

При определении значений элементов высокочастотной модели воспользуемся паспортными данными транзистора:[7]

                                                                                                       (1.15)

где  – входное сопротивление,  – выходная емкость,  – выходное сопротивление.В паспортных данных значение индуктивности.[7]

где  – индуктивности выводов базы и эмиттера.

В результате получим:

1.3.4. Расчет схем термостабилизации транзистора КТ 934В.

Эмиттерная термостабилизация приведена на рис.1.9.[8]

Рисунок 1.9 Схема эмитерной термостабилизации.

Расчет номиналов элементов осуществляется исходя из заданной рабочей точки. Напряжение на эмиттере должно быть не менее 3-5 В (в расчетах возьмем 3В), чтобы стабилизация была эффективной.

Рабочая точка:

Uкэ0= 18В,

Iк0=0.7А.

Учтя это, получим:

, где , а коллекторный ток – , что было получено ранее, тогда:  и                                                                        1.16)

Видно, что рассеиваемая мощность довольно велика.

Базовый ток будет в  раз меньше коллекторного тока:

,                                                                                             (1.17)

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: государственный диплом, защита курсовой работы.



Предыдущая страница реферата | 5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки