Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Как уже отмечалось, ОЗУ можно разделить на 2 типа: статические и динамические. В накопителях статических ОЗУ применяются триггерные элементы памяти. В ОЗУ динамического типа запоминающим элементом служит конденсатор.
Динамические ОЗУ имеют ряд преимуществ по сравнению со статистическими ОЗУ.
Основные характеристики динамических ОЗУ:

| |I |II |III |IV |
|Наибольшая |4К |16К |64К |256К |
|ёмкость, | | | | |
|бит/кристалл | | | | |
|Время выборки |200[pic]|200[pic]30|100[pic]200 |150[pic]200 |
|считывания, мс |400 |0 | | |
|Рпотр, мВт/бит |0,1[pic]|0,04[pic]0|4 10-3[pic]5|3 10-3[pic]4|
| |0,2 |,05 |10-3 |10-3 |

Преимуществом статистических ОЗУ перед динамическими является отсутствие схемы регенерации информации, что значительно упрощает статические ЗУ, как правило, имеют один номинал питающего напряжения.

Типовые характеристики СЗУ:

| |ЭСЛ |ТТЛ |ТТЛШ |U2Л |пМОП |кМОП |
|Ёмкость, |256[pic|256[pic|1К[pic]|4К[pic]|4К[pic]|4К[pic]|
|бит/кристалл |] 16К |] 64К |4К |8К |16К |16К |
|Время выборки |10[pic]|50[pic]|50[pic]|150 |45[pic]|150[pic|
|считывания, мс |35 |100 |60 | |100 |] 300 |
|Рпотр , мВт/бит|2[pic]0|15[pic]|0,5[pic|0,1[pic|0,24[pi|0,02 |
| |,06 |0,03 |] 0,3 |] 0,07 |c] 0,05| |

Наибольшим быстродействием обладают биполярные ОЗУ, построенные на основе элементов ЭСЛ, ТТЛШ. Перспективными являются ОЗУ, построенные на транзисторных структурах U2Л, позволяющих уменьшить площадь ЗЭ до
2000[pic]100мкм2 и снизить мощность потребления до нескольких микроватт на бит, при tвкл=50[pic]150 мс.

Статические ОЗУ на МОП транзисторах, несмотря на среднее быстродействие, получили широкое распространение, что объясняется существенно большей плотностью размещения ячеек на кристалле, чем у БП ОЗУ.

Для рМОП удалось уменьшить геометрические размеры ЗЭ и снизить напряжение питания до 15 В.

Для ОЗУ пМОП удалось ещё больше уменьшить геометрические размеры, получить в 2,5 раза большую скорость переключения. Единое напряжение питания +5В обеспечивает непосредственную совместимость таких ОЗУ по логическим уровням с микросхемами ТТЛ.

Элементы ОЗУ на кМОП VT используются для построения статических ОЗУ только при необходимости достижения min Рпотр. Также при переходе к режиму хранения Рпотр уменьшается на порядок.

Для статических ОЗУ достигнута ёмкость 64 Кбит при организации 16 разрядов и времени выборки до 6 мс. Iпотр статических БП ОЗУ 100[pic]200 мА. Широко применяются схемы на кМОП-VT, среди которых наибольшее распространение получила серия 537; Iпотр[pic]60 мА (режим обращения) и
Iпотр=0,001[pic]5 мА (хранение). В большинстве схем предусмотрен режим хранения с пониженным Uпит=2 В. Это позволяет наиболее просто реализовать работу ОЗУ от резервных батарей.

Динамические ОЗУ представлены в основном серией КР565 с max ёмкостью
256х1 разряд и min времени выборки 150 мс. Но необходимо постоянное восстановление информации – регенерации, период которой составляет 1[pic]8 мс. Для регенерации нужны дополнительные схемы, что усложняет схему в целом.

Дальнейшее рассмотрение будем вести на примере статического ОЗУ 2Кх8 с общим входом и выходом типа 537РУ10.

1) tвыб[pic]220 мс.

2) Рпотр: хранение Uп=5В – 5,25 мВт

Uп=2В – 0,6 мВт обращение - 370 мВт

3) Iпотр: хранение – 3 10-4 мА обращение – 70 мА

4) Диапазон рабочих температур - 10[pic]+[pic]С.

Усиление вх-вых сигналов до уровней ТТЛ осуществляется с помощью вых. формирователей. Т.к. ОЗУ организовано как 2Кх8, значит необходимо использовать АО[pic]А10 адресных линий и DO[pic]D7 линий шины данных.

Для управления функционированием схемы используется 3 вывода:

1) [pic]/RE - № 21

2) CE - № 18

3) OE - № 20

Микросхема 537РУ10 функционирует в 3 режимах:

. режим хранения данных

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: индия реферат, акт.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки