Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4 | Следующая страница реферата



и 

- обратный ток коллекторного перехода в схеме ОЭ при IБ = 0.

Выражение для коэффициента передачи базового тока b легко получить используя эти соотношения:

Статические параметры транзистора.

Статические параметры транзистора характеризуют свойства прибора в статическом режиме, т.е. в том случае, когда к  его электродам подключены лишь источники постоянных напряжений.

Система статических параметров транзистора выбирается таким образом, чтобы  с помощью минимального числа этих параметров можно было бы наиболее полно отобразить особенности статических  характеристик транзистора в различных режимах. Можно выделить статические параметры режима отсечки, активного режима и режима насыщения. К  статическим параметрам относятся также величины, отображающие характеристики  в близи пробоя.

Статические параметры в активном режиме.

Статическим параметром для этого режима  служит статический коэффициент передачи тока в схеме  ОЭ:

   

Коэффициент h21Э является интегральным коэффициентом передачи базового тока b, однако, статический коэффициент определяет как   пренебрегая  током ІКБО, что вполне допустимо при условии, что ІБ ³ 20ІКБО.

В качестве статического параметра активного режима используется также статическая крутизна прямой передачи в схеме ОЭ:

Статические параметры в режиме отсечки.

В качестве этих параметров используются обратные токи в транзисторе.

Статические параметры режима отсечки в значительной мере определяют температурную нестабильность работы транзистора и обязательно  используются во всех расчетах схем  на транзисторах. К числу этих параметров относятся следующие токи:

обратный ток коллектора ІКБО – это ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор – база и разомкнутом выводе эмиттера;

обратный ток эмиттера ІЭБО – это ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер – база и разомкнутом выводе коллектора;

обратный ток коллектора ІКБК – это ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор – база и при замкнутых накоротко  выводах эмиттера и базы;

обратный ток ІЭБК – это ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер – база и при замкнутых накоротко  выводах коллектора и базы;

обратный ток коллектор – эмиттер – ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении UКЭ. Этот ток обозначается: ІКЭО – при  разомкнутом выводе базы; ІКЭК – при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы; ІКЭR – при заданном сопротивлении в цепи базы – эмиттер; ІКЭX – при заданном обратном напряжении UБЭ.

Статические параметры в режиме насыщения.

В качестве параметров в этом режиме используются величины напряжений между электродами транзистора, включенного по схеме ОЭ.

Напряжение насыщение коллектор – эмиттер UКЭ нас – это напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора;

напряжение насыщение база – эмиттер UБЭ нас – это напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.

При  измерениях UКЭ нас и UБЭ нас ток коллектора  задается чаще всего  равным номинальному значению, а ток базы задается в соответствии с соотношением ІБ = КнасІ’Б, где Кнас коэффициент насыщения; І’Б ток на границе насыщения.

Статические параметры в области пробоя.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: шпори политология, ответы на билеты.

Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки