Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 | Следующая страница реферата

где l m - теплопроводность газа, для воздуха l m определяем из таблицы 4 10 [1] l m = 0 0281 Вт/(м К);

6 Определяем тепловую проводимость между нагретой зоной и корпусом

где s - удельная тепловая проводимость от модулей к корпусу блока, при отсутствии прижима s = 240 Вт/(м2 К);

Sl - площадь контакта рамки модуля с корпусом блока;

Кs - коэффициент учитывающий кондуктивный теплообмен

В результате получаем

7 Рассчитываем нагрев нагретой зоны D tз о во втором приближении

где Кw - коэффициент, учитывающий внутреннее перемешивание воздуха, зависит от производительности вентилятора, Кw = 1;

Кн2 - коэффициент, учитывающий давление воздуха внутри блока, Кн2 = 1 3

8 Определяем ошибку расчета

Такая ошибка нас вполне устраивает d =0 053 < [d ]=0.1

9 Рассчитываем температуру нагретой зоны

Этап 3 Расчет температуры поверхности элемента

1 Определяем эквивалентный коэффициент теплопроводности модуля, в котором расположена микросхема Для нашего случая, когда отсутствуют теплопроводные шины l экв = l п = 0.3 Вт/(м К) , где l п - теплопроводность материала основания печатной платы

2 Определяем эквивалентный радиус корпуса микросхем

где S0ИС - площадь основания микросхемы, S0ИС = 0 0195 × 006 = 0 000117 м2

3 Рассчитываем коэффициент распространения теплового потока

где a 1 и a 2 - коэффициенты обмена с 1-й и 2-й стороной ПП; для естественного теплообмена a 1 + a 2 = 18 Вт/(м2 К);

hпп - толщина ПП

4 Определяем искомый перегрев поверхности корпуса микросхемы для ИМС номер 13 находящейся в середине ПП и поэтому работающей в наихудшем тепловом режиме

где В и М - условные величины, введенные для упрощения формы записи, при одностороннем расположении корпусов микросхем на ПП В = 8 5 p R2 Вт/К, М = 2;

к - эмпирический коэффициент для корпусов микросхем, центр которых отстоит от концов ПП на расстоянии менее 3R, к = 1.14; для корпусов микросхем, центр которых отстоит от концов ПП на расстоянии более 3R, к = 1;

кa - коэффициент теплоотдачи от корпусов микросхем определяется по графика (рис 17) [1] и для нашего случая кa = 12 Вт/(м2 К);

Ni - число i-х корпусов микросхем, расположенный вокруг корпуса рассчитываемой микросхемы на расстоянии не более ri < 10/m = 0.06 м, для нашей ПП Ni = 24;

К1 и К0 - модифицированные функции Бесселя, результат расчета которых представлен ниже

D tв - среднеобъемный перегрев воздуха в блоке

QИСi - мощность, рассеиваемая i-й микросхемой, в нашем случае для всех одинаковая и равна 0 001 Вт;

SИСi - суммарная площадь поверхностей i-й микросхемs, в нашем случае для всех одинаковая и равна SИСi = 2 (с1 × с2 + с1 × с3 + с2 × с3) = 2 (19 5 × 6 + 19.5 × 4 + 6 × 4) = 438 мм2 = 0 000438 м2;

d зi - зазор между микросхемой и ПП, d зi = 0;

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: курсовая работа политика, море реферат.

Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки