Современная оптоэлектроника
Категория реферата: Рефераты по науке и технике
Теги реферата: рефераты, сочинение изложение
Добавил(а) на сайт: Элисса.
Предыдущая страница реферата | 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 | Следующая страница реферата
Сложные кислородные соединения Bi силленитов типа (mBi2O3×nMexOy) вызывают большой интерес, являясь пьезоэлектриками, обладают электрооптическими и магнитооптическими свойствами, что в сочетании с фотопроводимостью выдвигает их в число перспективных материалов для создания электро- и магнитооптических модуляторов лазерного излучения, запоминающих устройств типа ПРОМ и т.д.
Замена р-элементов (Ge, [ ] ns2np2) в Bi12ЭO20 ионами переходных металлов, имеющих неспаренные 3dn-электроны, позволяет получить новые свойства (изменения окраски, расширение области пропускания в длинноволновой части спектра).
Чистота поверхности подложки является решающим фактором для выращивания и адгезии плёнок. Хорошо очищенная подложка является необходимым предварительным условием для получения плёнок с воспроизводимыми свойства.
Будущие высокоёмкие системы оптической связи, как считают A.A. Ballman и P.K. Tien [44], будут состоять из различных пассивных и активных интегральных оптических устройств, функция которых – проводить и манипулировать световыми волнами, несущими информацию. Работа в этой области [44] выявила, что окончательный успех предлагаемых оптических систем, в основном, зависит от разработки тонкоплёночных материалов, имеющих приемлемые свойства для применения в системах оптической передачи информации. Светопроводящие устройство состоит из тонкой плёнки прозрачного силленитового материала на основе оксидов висмута, образованной на подложке так же прозрачного силленитового материала на основе оксидов висмута с более низким показателем преломления, чем у плёнки.
Таким образом необходимо нахождения условий получения плёнок заданной толщины твёрдого раствора Bi12GeO20 : 6 мольн. % Cr4+ со структурой силленита на германосилленитовой подложке методом жидкофазной эпитаксии.
3 Экспериментальная часть.
3.1 Цели и задачи работы.
Целью данной дипломной работы являлось получение плёнок заданной толщины твёрдого раствора Bi12GeO20 : 6 мольн. % Cr4+ со структурой силленита на германосилленитовой подложке методом жидкофазной эпитаксии.
Для достижения данной цели необходимо выполнить следующие задачи:
1. Подбор ориентации подложки,
2. Выбор оптимальгой температуры эпитаксии,
3. Определение зависимости толщины пленки от времени выдержки подложки в расплаве.
3.2 Характеристики исходных веществ.
| Вещества | Категории | Технические условия | Содержание основного вещества, % |
| Bi2O3 | ОСЧ 13-3 | ТУ6-09-1853-72 | 99,99 |
| GeO2 | ОСЧ 2-14 | ТУ6-09-1418-76 | 99,99 |
| Cr2O3 | “ХЧ” | ||
| HCl | “ХЧ” | ГОСТ 3118-67 | 35,0 – 38,0 |
| CCl4 | “ОСЧ” | ГОСТ 20288-77 | |
| Ацетон | “Ч” | ТУ 9-271-68 | |
| Глицерин | “ХЧ” | ТУ 9-271-68 |
3.3 Выбор материала тигля.
При выращивании монокристаллов силленитов в качестве материала тигля используется платина.
Хотя температура плавления германосилленита 930 °С, применять керамические, кварцевые, а также тигли из неблагородных металлов нельзя из-за высокой химической активности расплава Bi2O3.
3.4 Оборудование.
В ходе работы использовалось следующее оборудование:
1) Установка для роста кристаллов по Чохральскому.
В качестве нагревательного элемента использовалась нихромовая спираль (R = 2,1 Ом).
Максимальная мощность печи – 2,142 кВт.
Максимальная температура – 1250 °С.
Внутреннее устройство печи приведено на рис. 2.4.1.
Электрическая часть установки питается от сети переменного тока (напряжение 220 В, 50 Гц). Управление и контроль производится с помощью системы высокоточного регулирования температуры ВРТ-2. Система построена по принципу обратной связи по температуре. Напряжение на нагреватель подаётся с блока тиристоров БТ. Сигнал с термопары, расположенной в непосредственной близости от нагревателя, поступает на задатчик И-102, где сравнивается с заданным набором температуры. Сигнал разбаланса, полученный в результате сравнения, поступает на регулятор Р-111, где формируется заданный закон регулирования(в данном случае ПИ-регулирование) печью сопротивления. Сигнал с регулятора (0 ¸ 5 mА) поступает на блок управления тиристоров БУТ, который регулирует выходной сигнал с блока тиристоров БТ, подавая на них изменяющееся по величине, запирающее напряжение. Вытягивающий механизм конструкции ИКАНа.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: шпаргалки на телефон, банк курсовых.
Предыдущая страница реферата | 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 | Следующая страница реферата