Рефераты | Рефераты по науке и технике | Усилители: конструкция и эксплуатация |
4·10-6 |
||
|
11 |
Печатная плата |
1 |
0,0005·10-8 |
|
12 |
Пленочные подстроечные резисторы |
1 |
2·10-6 |
|
13 |
Проводники |
68 |
0,005·10-6 |
|
14 |
Разъемы |
2 |
2,5·10-6 |
|
15 |
Электролитические конденсаторы |
14 |
1,1·10-6 |
Интенсивность отказов всей схемы можно рассчитать по формуле:
|
L=åln·Nn |
где - L - интенсивность отказов всей схемы.
ln - интенсивность отказов элементов схемы.
N - количество элементов схемы.
L=l1·N1+l2·N2+l3·N3+l4·N4+l5·N5+l6·N6+l7·N7+l8·N8+l9·N9+l10·N10+l11·N11+l12··N12+l13·N13+l14·N14+l15·N15=0,6·10-6·2+2,5·10-6·1+0,44·10-6·9+0,02·10-6·178+
+2,5·10-6·2+0,3·10-6·7+0,04·10-6·30+0,0001·10-6·193+1·10-6·178+4·10-6·3+
+0,0005·10-8·1+2·10-6·1+0,005·10-6·68+2,5·10-6·2+1,1·10-6·14=1,2+2,5+3,96+3,56+5+
+2,1+1,2+0,0193+178+12+0,000005+2+0,34+5+15,4=232,279305·10-6 1/ч.
где l1 - интенсивность отказов германиевых транзисторов
N1 - количество германиевых транзисторов
l2 - интенсивность отказов интегральных микросхем
N2 - количество интегральных микросхем
l3 - интенсивность отказов керамических монолитных конденсаторов
N3 - количество керамических монолитных конденсаторов
l4 - интенсивность отказов контактных площадок
N4 - количество контактных площадок
l5 - интенсивность отказов кремниевых диодов
N5 - количество кремниевых диодов
l6 - интенсивность отказов кремниевых транзисторов
N6 - количество кремниевых транзисторов
l7 - интенсивность отказов металлодиэлектрических резисторов
N7 - количество металлодиэлектрических резисторов
l8 - интенсивность отказов отверстий
N8 - количество отверстий
l9 - интенсивность отказов пайки
N9 - количество пайки
l10 - интенсивность отказов переменных пленочных резисторов
N10 - количество переменных пленочных резисторов
l11 - интенсивность отказов печатной платы
N11 - количество печатной платы
l12 - интенсивность отказов пленочных подстроечных резисторов
