AVR микроконтроллер AT90S2333 фирмы Atmel

Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
Теги реферата: сочинение капитанская, ответы 4 класс
Добавил(а) на сайт: Любомира.

Предыдущая страница реферата | 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 | Следующая страница реферата

Программирование флэш памяти и EEPROM

AT90S2333/4433 имеют 2кБ или 4кБ перепрограммируемой флэш памяти программ и
256 байт энергонезависимой памяти данных.
При поставке флэш память и память данных стерты (содержат FFh) и готовы к программированию. Микросхемы поддерживают высоковольтный (12В) параллельный режим программирования и низковольтный режим последовательного программирования. Напряжение +12В используется только для разрешения программирования, этот вывод почти не потребляет тока. Последовательный режим программирования предусмотрен для загрузки программы и данных в системе пользователя (внутрисистемное программирование). В обоих режимах программирования память программ и данных программируется байт за байтом.
Для программирования EEPROM предусмотрен цикл автоматического стирания при программировании в последовательном режиме.

Параллельное программирование.
Ниже рассмотрено параллельное программирование флэш памяти программ, энергонезависимой памяти данных, битов блокировки и конфигурации. Некоторые выводы процессоров ниже называются именами, отражающими функциональное назначение сигналов при параллельном программировании. Выводы не приведенные в следующей таблице называются своими обычными именами.

Таблица 27. Имена выводов

|Имя сигнала |Имя |Вх/Вых|Функция |
|при |вывод| | |
|программирован|а | | |
|. | | | |
|RDY/BSY |PD1 |Вых |0: мкросхема занята |
| | | |программированием |
| | | |1: мкросхема готова к приему |
| | | |команды |
|OE |PD2 |Вх |Разрешение выходов (активный |
| | | |0) |
|WR |PD3 |Вх |Импульс записи (активный 0) |
|BS |PD4 |Вх |Выбор байта |
|XA0 |PD5 |Вх |Действие XTAL бит 0 |
|XA1 |PD6 |Вх |Действие XTAL бит 1 |

Биты XA0 и XA1 определяют действие происходящее по положительному импульсу
XTAL1. Установки битов приведены в следующей таблице:

Таблица 28. Установка XA1 и XA0
|XA|XA|Действие при подаче импульса XTAL1 |
|1 |0 | |
|0 |0 |Загрузка адреса памяти программ или данных |
| | |(старший/младший байт задается выводом BS |
|0 |1 |Загрузка данных (старший/младший байт для флэш памяти |
| | |задается выводом BS) |
|1 |0 |Загрузка команды |
|1 |1 |Не работает, холостой ход |

По импульсу WR или OE загружается команда определяющая действие по вводу или выводу. В байте команды каждому биту присвоена функция, как показано в таблице 29.

Таблица 29. Биты конфигурации командного байта

ВХОД В РЕЖИМ ПРОГРАММИРОВАНИЯ

Следующий алгоритм переводит устройство в режим параллельного программирования:
1. Подать напряжение 4.5...5.5В на выводы питания.
2. Установить RESET и BS в 0 и выдержать не меньше 100 нС.
3. Подать 12В на RESET и выждать не менее 100 нС перед изменением
BS. Любая активность на выводе BS в течение этого времени приведет к тому, что микросхема не включится в режим программирования.

СТИРАНИЕ КРИСТАЛЛА

При стирании кристалла стираются память программ и данных, а также биты блокировки. Биты блокировки не сбрасываются до полного стирания памяти программ и данных. Биты конфигурации не изменяются. (Стирание кристалла производится перед его программированием).
Загрузка команды "стереть кристалл"
1. Установить XA1,XA0 в '10'. Это разрешает загрузку команды.
2. Установить BS в 0

3. Установить PC(1..0) PB(5..0) в '1000 0000'. Это команда стирания кристалла.

4. Подать положительный импульс на XTAL1. При этом загружается команда и начинается стирание памяти программ и данных. После импульса
XTAL1, подать отрицательный импульс на WR, чтобы разрешить стирание битов блокировки по окончанию цикла стирания. Подождать около 10 мС до окончания цикла стирания. Стирание кристалла не генерирует сигнала RDY/BSY.

ПРОГРАММИРОВАНИЕ ФЛЭШ ПАМЯТИ

Загрузить команду "программирование флэш памяти"
1. Установить XA1,XA0 в '10'. Это разрешает загрузку команды.
2. Установить BS в 0

3. Установить PC(1..0) PB(5..0) в '0001 0000'. Это команда программирования флэш памяти
4. Подать положительный импульс на XTAL1. При этом загружается команда.

Загрузить младший байт адреса
1. Установить XA1,XA0 в '00'. Это разрешает загрузку адреса.
2. Установить BS в 0. Это выбирает младший байт адреса.
3. Установить на PC(1..0) PB(5..0) младший байт адреса.
4. Подать положительный импульс на XTAL1. При этом загружается младший байт адреса.

Загрузить старший байт адреса
1. Установить XA1,XA0 в '00'. Это разрешает загрузку адреса.
2. Установить BS в 1. Это выбирает старший байт адреса.
3. Установить на PC(1..0) PB(5..0) старший байт адреса. ($00..$01)
4. Подать положительный импульс на XTAL1. При этом загружается старший байт адреса.

Загрузить байт данных
1. Установить XA1,XA0 в '01'. Это разрешает загрузку данных.
2. Установить на PC(1..0) PB(5..0) младший байт данных.
3. Подать положительный импульс на XTAL1. При этом загружается младший байт данных.

Запись младшего байта данных.
1. Установить BS в '0'. Это выбирает младший байт данных
2. Подать на WR отрицательный импульс. Это инициирует программирование байта. RDY/BSY переходит в низкое состояние.
3. Перед программированием следующего байта подождать, пока RDY/BSY перейдет в высокое состояние.

Загрузить байт данных
1. Установить XA1,XA0 в '01'. Это разрешает загрузку данных.
2. Установить на PC(1..0) PB(5..0) старший байт данных.
3. Подать положительный импульс на XTAL1. При этом загружается старший байт данных.
Запись старшего байта данных.
1. Установить BS в '1'. Это выбирает старший байт данных
2. Подать на WR отрицательный импульс. Это инициирует программирование байта. RDY/BSY переходит в низкое состояние.
3. Перед программированием следующего байта подождать, пока RDY/BSY перейдет в высокое состояние.

Загруженные адрес и данные сохраняются в устройстве после программирования, при этом процесс программирования упрощается.
* Команду программирования флэш памяти необходимо подать только перед программированием первого байта
* Старший байт адреса можно менять только перед программированием следующей страницы памяти программ (256 слов).

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: инвестиции реферат, форма реферата, конспект урока по русскому языку.

Предыдущая страница реферата | 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 | Следующая страница реферата

Рефераты | Рефераты по радиоэлектронике | AVR микроконтроллер AT90S2333 фирмы Atmel

AVR микроконтроллер AT90S2333 фирмы Atmel

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки

Категории:

Разделы сайта