Детектирование амплитудно-модулированных сигналов

Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
Теги реферата: здоровье реферат, документ реферат
Добавил(а) на сайт: Starickij.

Основными задачами специалистов вневедомственной охраны являются:

> смена устаревшей техники;

> повышение помехоустойчивости извещателей и систем передачи извещений.

Выполнение данных задач возможно только при наличии высшего радио инженерного образования. Одним из базовых курсов при получении такого образования является курс «Радиотехнические цепи и сигналы».

Данный курс даёт основу для дальнейшего изучения радиотехники, т.к. именно на простейшем уровне описываются сложные процессы в радиоэлектронных устройствах.

В настоящее время, можно сказать, радиотехника является одним из выдающихся достижений человечества. Без неё немыслима не современная наука, ни техника, ни промышленность. Без развития радиотехники невозможно развитие современной вычислительной техники, которая используется во всех сферах человеческой деятельности.

2. ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ

На рисунке 1 и 2 приведены схемы коллекторного и диодного детекторов амплитудно-модулированных сигналов. Резисторы R1 и R2 в схеме коллекторного детектора образуют делитель напряжения Еп, который задаёт постоянную составляющую напряжения базы транзистора, а разделительный конденсатор С1 имеет большую ёмкость и предназначен для разделения источника питания транзистора Еп и источника входного сигнала по постоянному току. В коллекторном и диодном детекторах в качестве нагрузки используется параллельная RC-цепь, состоящая из конденсатора ёмкостью Сн и резистора с сопротивлением Rн.

Входной сигнал имеет вид: [pic]

Где [pic] - амплитуда и частота несущего колебания, m – глубина модуляции, ( - частота модулирующего сигнала.

[pic]

Задание:

1. Найти значения сопротивления Rн и ёмкости Сн в цепи нагрузки коллекторного детектора, при которых коэффициент детектирования равен единице, если крутизна транзистора S=10 mA/В, частоты несущего и модулирующего колебаний равны (0=106 рад/сек, (=104 рад/сек соответственно.

2. Изобразить спектральные диаграммы входного и выходного сигналов коллекторного детектора с указанием амплитуд и частот всех спектральных составляющих. Амплитуду несущего колебания и глубину модуляции считать равными Um=0,1 В, m=0,5.

3. Найти значения сопротивления Rн и ёмкости Сн в цепи нагрузки диодного детектора, при которых коэффициент детектирования равен 0,9, если крутизна транзистора S=10 mA/В, частоты несущего и модулирующего колебаний равны (0=106 рад/сек, (=104 рад/сек соответственно.

4. Изобразить спектральные диаграммы входного и выходного сигналов диодного детектора с указанием амплитуд и частот всех спектральных составляющих. Амплитуду несущего колебания и глубину модуляции считать равными Um=0,1 В, m=1.

3. РАСЧЁТ ЦЕПИ НАГРУЗКИ КОЛЛЕКТОРНОГО ДЕТЕКТОРА

Найти значения сопротивления Rн и ёмкости Сн в цепи нагрузки коллекторного детектора, при которых коэффициент детектирования равен единице, если крутизна транзистора S=10 mA/В, частоты несущего и модулирующего колебаний равны (0=106 рад/сек, (=104 рад/сек соответственно.

[pic]

На рис.3 приведена схема коллекторного детектора амплитудно- модулированных сигналов. В данной схеме резистор Rн образует делитель напряжения Епит и задаёт постоянную составляющую напряжения базы транзистора, а разделительный конденсатор Сн имеет большую ёмкость и предназначен для разделения источника питания транзистора Епит и источника входного сигнала по постоянному току. Параллельная RC-цепь используется в качестве нагрузки, она состоит из конденсатора емкостью Сн и резистора Rн.

Входной сигнал будет иметь вид:

[pic] (1) где Um, (0 – амплитуда и частота несущего колебания, m – глубина модуляции, ( - частота модулирующего сигнала.

Коэффициент детектирования коллекторного детектора определим из выражения:

Кд=0,318*S*Rн, (2) где S – крутизна транзистора.

Величину сопротивления в цепи определим из выражения (2):

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки