Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

3) Схема с общим колектором

Каждая схема характеризуется семействами входных и выходных статических
ВАХ
Iвх=f(Uвх) ( Uвых-const
Iвых=f(Uвых) ( Iвх-const

ВАХ транзисторов
1)ОЭ

Iк=(Iб +(Uкэ/r*к)+I*к0 (-коэффициент передачи Iб

(=(/1-(
2)ОБ
Iк=(Iэ+I к0+(Uкб/rк) r*к=( rк/1+() I*к0=I к0(1+()

Малосигнальная эквивалентная схема замещения транзистора
1)ОЭ

rк?100 Ом rэ=dUбэ/dIб ( Uк- const rэ=2((/Iэ0 =(Si)?50мВ/ Iэ0 r*к=dUкэ/dIк ( Iб- const ?100кОм
Ск*=Ск(1+() ? 5-15мкФ

2)ОБ

rэ=dUбэ/dIэ ( Uк- const r*к=dUкб/dIк ( Iэ- const

Частотные свойства транзистора
Зависят от емкостей транзистора, межэлектородных емкостей, и от коэффициентов ( и ( fср=fср(/( – для (

h –параметры транзистора

?U1=h11?I1+h12 ?U2
?I2=h21?I1+h22 ?U2

h11= ?U1/ ?I1 |?U2=0 – входной сигнал h12= ?U1/ ?U2 |=?=0 – коэф. обр. отриц. внутр.связи

|?I1=0 h21= ?I2/ ?I1 | ?U2=0 – коэф усиления I h22= ?I2/ ?U2 |=1/rк выходная проводимость

|?I1=0

Связь h-параметров с собственными параметрами транзистора
| |ОБ |ОЭ |
|h1|rэ+rб(|rб+rэ(|
|1 |1-?) |1+?) |
|h1|0 |0 |
|2 | | |
|h2|? |? |
|1 | | |
|h2|1/rк |1/rк*=|
|2 | |(1+ |
| | |?)/rк |

Полевые транзисторы (ПТ)
В ПТ используется носитель заряда одного типа. Работа ПТ основана на управлении R канала ПТ поперечным электрическим полем.
ПТ с: p-n переходом

МДМ или МОП
«+»- очень простые, высокая технологичность, большое Rвх., малая стоимость.
«-»-малая крутизна

ПТ с p-n переходом

Структура и работа.

ВАХ: выходная rc=?Ucч/?Ic

Uзи=const(отсечки)

?10-100кОм

Стокозатворная характеристика

крутизна:

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: тема здоровый образ жизни реферат, ответы 5 класс, судебная реферат.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки