Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

3. Порядок проведения работы.

1. Определение зависимости сопротивления фоторезистора от освещенности.

Подготовить цифровой вольтметр к измерению сопротивлений, для чего переключатель рода работ установить в положение «R», предел измерения – «10 мОм». Подключить цифровой вольтметр к клеммам фоторезистора, расположенным на правой боковой панели лабораторной установки.

Подать напряжение на стенд, переведя тумблер питания, расположенный на лицевой панели, в положение «Вкл». Изменяя освещенность регулятором на лицевой панели в соответствии со значениями в табл. 4.1, измерить и занести в табл. 4.1 сопротивление фоторезистора.

Таблица 4.1

|E |лк |0 |5 |10 |25 |50 |75 |100 |125 |150 |
|R |мОм|Rт | | | | | | | | |
|(=Rт|– | | | | | | | | | |
|/R | | | | | | | | | | |

2. Снятие семейства вольтамперных характеристик фоторезистора.

Собрать схему в соответствии с рис. 2.5. Подготовить цифровой вольтметр к измерению тока, для чего переключатель рода работ поставить в положение «мкА», предел измерения «100». Установить освещенность Е = 10 лк.
Изменяя напряжение на выходе источника постоянного напряжения от 0 до 30 В
(через 5 В), измерить и занести в табл. 4.2 значения тока через фоторезистор. Повторить опыт при значениях освещенности 15, 25 лк.
Темновой ток (при Е = 0) рассчитать по закону Ома: [pic]

Таблица 4.2
|E = 0 |Е= 10 лк |Е =15 лк |Е = 25 лк |
|U |Io |I |Iф |Sи |I |Iф |Sи |I |Iф |Sи |
|В |мкА |мкА |мкА |мкА/лм|мкА |мкА |мкА/лм|мкА |мкА |мкА/лм|
| | | | |(В | | |(В | | |(В |
|0 | | | | | | | | | | |
|… | | | | | | | | | | |
|30 | | | | | | | | | | |

3. Определение зависимости интегральной чувствительности фоторезистора от величины освещенности.

Зависимость Sи(E) определяется по схеме предыдущего опыта при неизменном значении напряжения U = 25 В. Результаты опыта и расчетов занести в табл. 4.3.

Таблица 4.3
|U |xm |yт |Um |Qm |Dm |Ет |( |(o |
|В |мм |мм |В |мкКл |Кл/м2 |кВ/м |мкФ/м |— |
|120 | | | | | | | | |
|100 | | | | | | | | |
|80 | | | | | | | | |
|60 | | | | | | | | |
|40 | | | | | | | | |
|20 | | | | | | | | |

При расчете использовать формулы: [pic],[pic][pic] [pic] где h, S – соответственно толщина и площадь слоя сегнетоэлектрика.

1. Определение масштабов по осям экрана осциллографа.

Переключатель П установить в положение «2». Вращением регулировочной рукоятки ЛАТРа, установить на входе цепи напряжение в пределах 40…60 В. На экране осциллографа должна наблюдаться наклонная прямая линия, представляющая кулон-вольтную характеристику Q(U) линейного диэлектрика конденсатора Со2. Занести в табл. 6.1 значения напряжения U и размаха колебаний луча осциллографа по горизонтали – (х и вертикали – (у.

Таблица 6.1

|Измерение |Расчет |Примечание |
|U, В |(х, мм |(у, мм |MU, В/мм |MQ, Кл/м|Со1 = мкФ, |
| | | | | |Со2 = мкФ |
| | | | | | |

Масштабы по осям координат определяются по следующим формулам:

[pic] (6.5)

3. Определение потерь в сегнетоэлектрике при комнатной температуре.

Устанавливая поочередно на входе цепи напряжение 60, 80, 120 В зарисовать на кальку осциллограммы петли гистерезиса. В табл. 6.3 занести координаты вершин гистерезисных циклов.

Таблица 6.3
|Измерения |Расчет |
|U |xm |ym |SQU |Um |Qm |Pг |tg ( |
|В |мм |мм |мм2 |В |мкКл |мВт |– |
|60 | | | | | | | |
|80 | | | | | | | |
|120 | | | | | | | |

4. Оформление отчета

Привести схему экспериментальной установки, данные измерительных приборов и исследуемого элемента.
Оформить таблицы с результатами измерений и вычислений. При вычислении Um и
Qm использовать координаты вершин осциллограмм гистерезисного цикла с учетом масштабов по осям осциллографа (табл. 6.1). Площадь гистерезисного цикла SQU (табл. 6.3) определяется непосредственно по осциллограммам путем подсчета числа квадратных миллиметров (по миллиметровой бумаге), укладывающихся внутри петли.
По данным табл. 6.2 построить основную кривую поляризации D(E) и график зависимости относительной диэлектрической поляризации от напряженности электрического поля (r(Е).
Привести осциллограммы гистерезисных циклов для трех значений напряжения на сегнетоэлектрическом конденсаторе.
Дать краткие выводы по работе.

Контрольные вопросы

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферати, шпори на телефон, тезис.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки