Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Рисунок 4.2 - Схема пассивной коллекторной термостабилизации.

Пусть URк=10В

Rк=[pic] (Ом); (4.2.1)

Еп=Uкэо+URк=10+10=20В (4.2.2)

Rб=[pic] =5,36 (кОм) (4.2.3)

Ток базы определяется Rб. При увеличении тока коллектора напряжение на Uкэо падает и следовательно уменьшается ток базы, а это не даёт увеличиваться дальше току коллектора. Но чтобы стал изменяться ток базы, напряжение Uкэо должно измениться на 10-20%, то есть Rк должно быть очень велико, что оправдывается только в маломощных каскадах.
4.3 Активная коллекторная термостабилизация

[pic]

Рисунок 4.3 - Схема активной коллекторной термостабилизации

Сделаем так чтобы Rб зависело от напряжения Ut. Получим что при незначительном изменении тока коллектора значительно изменится ток базы. И вместо большого Rк можно поставить меньшее на котором бы падало небольшое
(порядка 1В) напряжение.

Статический коэффициент передачи по току первого транзистора (о1=30.
UR4=5В.

R4=[pic]=[pic]=85 (Ом) (4.3.1)

[pic] (4.3.2)

Iко1 = Iбо2 = [pic]

Pрас1 = Uкэо1*Iко1 = 5*1,68*10-3 = 8,4 мВт

[pic]

R2=[pic]=[pic]=2,38 (кОм) (4.3.3)

R1=[pic]=[pic]=672 (Ом) (4.3.4)

R3 = [pic](Ом) (4.3.5)

Еп = Uкэо2+UR4 = 10+5 = 15В (4.3.6)

Данная схема требует значительное количество дополнительных элементов, в том числе и активных. При повреждении емкости С1 каскад самовозбудится и будет не усиливать, а генерировать, т.е. данный вариант не желателен, поскольку параметры усилителя должны как можно меньше зависеть от изменения параметров его элементов. Наиболее приемлема эмиттерная термостабилизация.

5. Расчёт параметров схемы Джиаколетто

[pic]

Рисунок 5.1 - Эквивалентная схема биполярного транзистора (схема

Джиаколетто)

Ск(треб)=Ск(пасп)*[pic]=4([pic]=8,9 (пФ), где
Ск(треб)-ёмкость коллекторного перехода при заданном Uкэ0,
Ск(пасп)-справочное значение ёмкости коллектора при Uкэ(пасп). rб= [pic]=33,5 (Ом); gб=[pic]=0,03 (Cм), где (5.1) rб-сопротивление базы,
[pic]-справочное значение постоянной цепи обратной связи. rэ=[pic] =[pic]=0,835 (Ом), где (5.2)
Iк0 в мА, rэ-сопротивление эмиттера. gбэ=[pic]=[pic]=0,039, где (5.3) gбэ-проводимость база-эмиттер,
[pic]-справочное значение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
Cэ=[pic]=[pic]=41 (пФ), где (5.4)
Cэ-ёмкость эмиттера, fт-справочное значение граничной частоты транзистора при которой [pic]=1
Ri= [pic]=1333 (Ом), где (5.5)
Ri-выходное сопротивление транзистора,
Uкэ0(доп), Iк0(доп)-соответственно паспортные значения допустимого напряжения на коллекторе и постоянной составляющей тока коллектора. gi=0.75(мСм).

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: объект реферата, оформление доклада титульный лист, реферат на тему мыло.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки