Лекции по твердотельной электронике
Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
Теги реферата: прочитать сообщение, дипломные работы бесплатно
Добавил(а) на сайт: Яковленко.
Предыдущая страница реферата | 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
[pic] (1.50)
Поскольку ?0(T) слабо зависит от температуры в оценочных расчетах принимают предэкспонциальный множитель постоянным равным значению электропроводности при T>?. Формула (1.50) хорошо описывает экспериментальную кривую электропроводности для чистых кристаллов с совершенной структурой (см. рис. 1.1. ) и из экспериментальной зависимости используя соотношение (1.50) можно определить такие характеристические параметры материала как Eg и ?0.
Легированный полупроводник.
Для легированного кристалла можно выделить несколько температурных
областей как для изменения с температурой концентрации (см. п.п.
1.2.4 рис. 1.16 ), так и для изменения с температурой подвижности
носителей заряда (см п.п. 1.2.5 рис. 1.21). При этом в области, где
доминирует примесная приводимость ni(T)n и соответственно будут иметь место следующие
уравнения.
[pic] (1.68)
Каждое из приведенных уравнений является частным случаем более общего уравнения (1.66) и используется для анализа процессов в полупроводниковых материалах и приборах именно для частных случаев, что значительно упрощает поиск возможного решения. Решение уравнения (1.66) достаточно в общем виде весьма сложно и, если это требуется по условиям задачи, то обычно выполняется численными методами с использованием соответствующих компьютерных программ.
Аналогично для n типа n>>p Для p соответственно будут иметь место следующие уравнения:
[pic] (1.69)
-------------------->
Скачали данный реферат: Karsakov, Папенин, Задорожный, Nustrov, Корнелий, Алексина, Феодота, Agafoklija.
Последние просмотренные рефераты на тему: сочинение рассказ, конспект, реферат по физкультуре, тесты для девочек.
Предыдущая страница реферата | 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12