Моделирование распределения потенциала в МДП-структуре

Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
Теги реферата: реферат на тему мир, конспект по русскому
Добавил(а) на сайт: Shul'c.

Граничные условия раздела сред

SiO2 e1

Si y en

x

Для области V0j yj+ Ѕ x Ѕ ene0 т(Ex(x Ѕ ,y) - E+x(0,y))dy + ene0 т (Ey(x,yj+ Ѕ) - Ey(x,j- Ѕ ))dx = yj- Ѕ

0

x Ѕ yj+Ѕ

= q т т (Nd + Na)dxdy

0 yj-Ѕ
Для области V`0j yj+ Ѕ x Ѕ ene0 т(E-x(0,y) - Ex(x -Ѕ,y))dy + ene0 т (Ey(x,yj+Ѕ) - Ey(x,j-Ѕ))dx = 0 yj- Ѕ

0

где E+x(0,y) и E-x(0,y) -предельные значения х компоненты вектора
Е со стороны кремния и окисла.Складывая равенства и учитывая условия:

ene0 dj + - e1e0 dj - = -Qss dx dx

имеем yj+Ѕ xЅ т (ene0Ex(xЅ,y) - e1e0Ex(x-Ѕ,y) - Qss(y))dy + ene0т (Ey(x,yj+Ѕ) +

Ey(x,yj-Ѕ))dx + yj-Ѕ

0

0 xЅ yj+Ѕ

+ e1e0 т (Ey(x,yj+Ѕ) - Ey(x,yj-Ѕ))dx = q т т (Nd + Na)dxdy x-Ѕ 0 yj-Ѕ

Сделав относительно Ex и Ey предположения анологичные (**) положив Qss(y)
= Qss = const при yj-Ѕ < y < yj+Ѕ и учитывая условия :

j+ = j- dj + = dj - dy dy
“+”- со стороны кремния
“-“ - со стороны окисла
Получим :

ene0(Ex)Ѕ,j - e1e0(Ex)-Ѕ,j - Qss r*j + ene0h1 + e1e0h-1 .

(Ey)0,j+Ѕ - (Ey)0,j-Ѕ =

2 2

= q (Nd0j - Na0j) h1r*j

2 что можно записать :

1 ene0 jij -j0j - e1e0 j0j - jij + ene0h1 + e1e0h-1 j0,j+1 - j0j

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки