МОП-транзисторы

Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
Теги реферата: реферат на тему информация, bestreferat ru
Добавил(а) на сайт: Jambaev.

В МДП - транзисторе с индуцированным каналом с подложкой р-типа при
UЗИ = 0 канал п-типа может находиться в проводящем состоянии. При некотором пороговом напряжении UЗИ.ПОР < 0 за счет обеднения канала основными носителями проводимость его значительно уменьшается. Статические стоковые характеристики в этом случае будут иметь вид , изображенный на рис. 7 , а стоко - затворная характеристика пересекает ось ординат в точке со значением тока IC.НАЧ.

Особенностью МДП - транзистора с индуцированным каналом п - типа является возможность работы без постоянного напряжения смещения
( U ЗИ = 0) в режиме как обеднения, так и обогащения канала основными носителями заряда. МДП - транзистор с встроенным каналом имеет вольт- амперные характеристики , аналогичные изображенным на рис. 7 .

У МДП - транзисторов всех типов потенциал подложки относительно истока оказывает заметное влияние на вольт -амперные характеристики и соответственно параметры транзистора. Благодаря воздействию на проводимость канала подложка может выполнять функцию затвора. Напряжение на подложке относительно истока должно иметь такую полярность, чтобы р-п переход исток - подложка включался в обратном направлении. При этом р-п переход канал - подложка действует как затвор полевого транзистора с управляющим р- п переходом.

5. Рекомендации по применению полевых транзисторов.

Рекомендации по применению полевых транзисторов. Полевые транзисторы имеют вольт-амперные характеристики, подобные ламповым, и обладают всеми принципиальными преимуществами транзисторов. Это позволяет применять их в схемах, в большинстве случаев использовались электронные лампы, например, в усилителях постоянного тока с высокоомным входом , в истоковых повторителях с особо высокоомным входом , в электрометрических усилителях, различных реле времени, RS - генераторах синусоидальных колебаний низких и инфранизких частот, в генераторах пилообразных колебаний , усилителях низкой частоты , работающих от источников с большим внутренним сопротивлением, в активных RC - фильтрах низких частот. Полевые транзисторы с изолированным затвором используют в высокочастотных усилителях, смесителях , ключевых устройствах.

В рекомендации по использованию транзисторов для случая полевых транзисторов следует внести дополнения:

1. На затвор полевых транзисторов с р-п ( отрицательное для транзисторов с р - каналом и положительным для транзистора с п - каналом).

2. Полевые транзисторы с изолированным затвором следует хранить с закороченными выводами. При включении транзисторов в схему должны быть приняты все меры для снятия зарядов статического электричества. Необходимую пайку производить на заземленном металлическом листе, заземлить жало паяльника, а так же руки монтажника при помощи специального металлического браслета. Не следует применять одежду из синтетических тканей.
Целесообразно подсоединять полевой транзистор к схеме, предварительно закоротив его выводы.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ :
1.Терещук Р.М. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства:
Справочник радиолюбителя / 4-е издание, стер. - Киев: Наук. Думка 1989. -
800с.
2. Бочаров Л.Н. Полевые транзисторы. - М. : Радио и связь, 1984, - 80 с.
3. Полупроводниковые приборы: транзисторы: Справочник / Н.Н.Горюнова.

М. ; Энергоатомиздат, 1985. 904с.
--------------------> ????????????
[pic]

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки