Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6 | Следующая страница реферата

При расчете электронного режима транзисторов воспользуемся методикой предназначенной для расчета режима мощного транзистора СВЧ [3].
Рассмотренная методика может быть использована для расчета режима мощного транзистора усилителя, работающего на частотах порядка сотен мегагерц, и позволяет получить параметры режима, достаточно близкие к экспериментальным. На значениях частот 1…3 ГГц погрешность расчета возрастает из-за использования упрощенной эквивалентной схемы транзистора и недостаточной точности при определении её параметров. Выберем схему подключения транзистора с ОБ, т.к. при таком включение значительно возрастает верхняя рабочая частота до [pic] и др. Эквивалентная схема усилителя ОБ для тока и напряжения первой гармоники представлена как
Рисунок 11.

[pic]

Рисунок 11 Эквивалентная схема усилителя

Расчет выходного усилителя мощности

Выбор типа транзистора

Выбор транзистора осуществляется с учетом типа модуляции, диапазона рабочих частот, полосы пропускания, требований к управлению (способа перестройки), характера и параметров нагрузки, а также возможностей обеспечения заданного уровня выходной мощности.

Так же при выборе транзистора необходимо руководствоваться следующими соображениями. Коэффициент усиления обратно пропорционален квадрату частоты. Поэтому, если известно из справочных данных, что транзистор на частоте [pic] имеет коэффициент усиления [pic], то на некоторой, более низкой рабочей частоте [pic], его коэффициент усиления можно оценить примерно, как [pic]. Схема включения транзистора определяется, как правило, его конструкцией, в которой с корпусом соединяется один из электродов
(эмиттер, база). Рекомендуется использовать СВЧ-транзистор на мощность не менее [pic], указанной в справочнике. Сильное недоиспользование транзистора приводит к снижению его усилительных свойств. Предлагаемая в [3] методика расчета исходит не из [pic], а из мощности [pic], развиваемой эквивалентным генератором тока [pic]. Мощность [pic] в схеме ОБ следует взять больше, чем требуемая [pic], так как значительная часть мощности, развиваемая генератором тока поступает во входную цепь усилителя. На [pic] в схеме ОБ
[pic] берется на [pic] больше [pic], на [pic] эта доля меньше.

Как мы уже выяснили ранее, необходимая выходная мощность по первой гармоники должна быть [pic], диапазон рабочих частот [pic], тип модуляции – импульсная. С учетом потерь в согласующей СВЧ-цепи (возьмем их равными
[pic], дальнейший расчет покажет более точное значение), необходимая мощность, на выходе транзистора, по первой гармоники определяется, как
[pic]. Тогда выходная мощность равна [pic]. Всем этим требованиям в полной мере удовлетворяет транзистор 2Т919А [9].

Таблица 1 Параметры транзистора 2Т919А (ВУМ)

| |Предельные эксплуатационные |Типовой режим |
|Одновитков|[pic] |[pic] |
|ая | |[pic] |
|Плоская |[pic] |[pic] |
|квадратная|[pic] | |
|спираль |где [pic], | |
| |n – число витков, мм; S – шаг | |
| |спирали, мм | |

|[pic] |[pic] |

Рисунок 23 Катушки: одновитковая 0.5-4 нГн, спиральная квадратной формы до

100 нГн.

Воспользовавшись данными из Таблица 4 и Рисунок 23 при [pic], [pic] и
[pic], рассчитаем значения параметров индуктивностей СВЧ-тракта:

Таблица 5

|Поз|тип|Параметры |
|. | | |
|обо| | |
|з. | | |
|L2 |Одн|пусть [pic], тогда |
| |. |[pic] |
| | |[pic], [pic] |
|L3 |Спи|пусть [pic], [pic], тогда |
| |р. |[pic] |
| | |[pic], [pic] |
|L4 |Спи|пусть [pic], [pic], тогда |
| |р. |[pic] |
| | |[pic], [pic] |
|L5 |Одн|пусть [pic], тогда |
| |. |[pic] |
| | |[pic], [pic] |
|L6 |Спи|пусть [pic], [pic], тогда |
| |р. |[pic] |
| | |[pic], [pic] |
|L7 |Спи|пусть [pic], [pic], тогда |
| |р. |[pic] |
| | |[pic], [pic] |
|L8 |Одн|пусть [pic], тогда |
| |. |[pic] |
| | |[pic], [pic] |

Толстопленочные емкости

Толстопленочные емкости разумно выполнить в виде трехслойной пленочной структуры металл-диэлектрик-металл, изображенной на Рисунок 24. Такие конденсаторы могут обладать емкостью до нескольких сотен пФ.

[pic]

Рисунок 24 Конфигурация конденсатора в пленочном исполнении

Расчет данных элементов начинается с выбора диэлектрика и определения его минимальной толщины (из соображений электрической прочности) по формуле:

[pic], где [pic] – рабочее напряжение между обкладками конденсатора, [В]; [pic] - пробивная напряженность электрического поля, [В/мм]; N – коэффициент запаса
(0.5 ( 0.7).

Рабочее напряжение между обкладками конденсатора будем считать, что не превышает [pic]. В качестве диэлектрика возьмем SiO, обладающего следующими параметрами [4]: [pic], [pic]. Коэффициент запаса возьмем равным [pic].
Тогда толщина диэлектрической пленки, [мм]:

[pic] выбранная нами технология не позволяет делать такие толщины, поэтому толщину диэлектрика и металлической обкладки возьмем равным [pic].

Требуемую площадь перекрытия обкладок конденсатора можно рассчитать по выражению:

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: шпори для студентів, доклад по обж, реферат на тему жизнь.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки