Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8 | Следующая страница реферата

2. Находим вспомогательный коэффициент n = fпр/fср , где fср = (fmax+fmin)/2 = (1605 +520)/2 = 1062,5 n = 465 / 1062,5 = 0,438

3. Определяем Смах = С к мах+Ссх, где С к мах = 260 пф
С мах гет. = 260+20 = 280 пф

4. Определяем индуктивность контура гетеродина:
Lг = L*? , значение а = 0,6 (согласно справочным данным)
Lг = 226*0,6 = 135,6 мкГн

5. Определяем ёмкость последовательного конденсатора (согласно справочным данным) С= 500пф

6. Определяем ёмкость параллельного конденсатора (согласно справочным данным) С= 6 пф

4.3. Расчет смесительной части ПЧ.

Определяем коэффициенты включения фильтра: m1= ?R22/R = ?110/20 = 2,35 m2= ?Rвх2/R = ?200/20 = 3,11

Т.к. m1>1, то примем значение m1=1 и установим на вход ФСС дополнительный шунтирующий резистор Rш = (R*R22)/(R22 – R) = (20*110)/(110-20)=24 Ом.

Ёмкости звеньев фильтра

С1 = 159/fпр*R=159/0,465*20=17 пф
С2 = (318*103 / Пр*R) – 2*С1 = (318*103 /22,9*20) – 2*17 = 0,69*103- 34 ?
656 пф
С3 = 0,5*С2 – m12*C22 = 0.5*656 – 11,8*5,5 = 328 – 64,9 ? 263 пф
С4 = 0,5*С2 – m22*Cвх = 345 – 250 = 78 пф

Индуктивность звеньев фильтра

L1 = Пр*R / 4*?* fпр2 = 22,9*20 / 4*3,14*0,4652 = 458 / 2,72 = 168,4 мкГн
L2 = 2*L1 = 168,4*2 = 336,8 мкГн

4.4. Расчёт схемы гетеродина.
Расчёт смесительной части:

4.1. Определяем параметры транзистора в режиме преобразования частоты.
Sпр = 0,3*S = 0.3*26 = 8 ма/в
Rвх пр = 2*R11 = 2*3,8 = 7,6 кОм
Rвых пр = 2*R22 = 2*110 = 220 кОм
Свых = С22 = 11,8 пф Свх = С11=25,8 пф
4.2. Коэффициент шунтирования контура ?у = 0,91
4.3. Определяем конструктивное и эквивалентные затухания широкополосного контура:
?к = ? / Qэ = 0,91 / 18 = 0,0505
?э = 1 / Qэш = 1 / 18 = 0,0556
4.4. Определяем характеристическое сопротивление контура
? = 0,5*Rвых пр *( ?э – ?к) = 0,5*220*(0,0051) = 0,561 кОм
4.5. Определяем коэффициент включения контура со стороны фильтра m2 ? 1
4.6. Эквивалентная ёмкость схемы
Сэ = 159/0,465*0,561 = 611,5 пф
4.7. Ёмкость контура
С2 = Сэ – Свых пр = 611,5 – 11,8 = 599,7 ? 600 пф
4.8. Определяем действительную эквивалентную ёмкость схемы:
С’э = С2 + Свых пр = 600 + 11,8 = 611,8 =612 пф
4.9. Индуктивность контура:
L4 = (2,53*104)/(0,4652*612) = 25300/132 = 192 мкГн
4.10. Действительное характеристическое сопротивление контура:
?’ = 159/0,465*С’э = 159 / 0,465*612 = 159/284,58 = 0,558 кОм
4.11. Резонансный коэффициент преобразователя:
Ко = (8*0,558*18*0,1) / 4 = 2
4.12. Индуктивность катушки связи с фильтром, приняв kсв = 0,4:
L5 = L4*(m22/ k2св) = 192*(0,01/0,16) = 12 мкГн

Расчёт гетеродинной части.

4.13. Частоту гетеродина принимаем выше частоты сигнала. fср = (f’мах+f’min)/2 = (1605+520) / 2 = 1062,5 кГц
4.14. Эквивалентная ёмкость переменного конденсатора на fср:
Сэ ср = (Сэ мах + Сэ мин) / 2 = (5+260)/2 = 132,5 пф
4.15. Индуктивность контура гетеродина fг ср = fср + fпр = 1,0625 + 0,465 = 1,5275 Мгц
L2 = (2,53*104) / fг2 ср*Сэ ср = 25300 / 2,33*132,5 = 81,9 ? 82 мкГн
4.16. Величину стабилизирующую эммитерный ток примем равной R7 = 1 кОм
4.17. Полное сопротивление контура гетеродина при резонансе на максимальной частоте:
R ос мах = (Qк*103) / 2*?* f’мах* Сэ мин = 105 / 6,28*1,605*5 = 2 Мом
4.18. Определяем коэффициент связи с колебательным контуром:
[pic]

m = 0.0482

4.19. Определяем величины емкостей контура на максимальной частоте поддиапозона: а) вспомогательные ёмкости:
С1 = 15 пф
С2 = (Сэ мин*(1+ kсв)) / m = 5*(1+0,4) / 0,0482 = 107,88 пф ? 110 пф
С3 = (Сэ мин*(1+ kсв)) / (m* kсв) = 5*(1+0,4) / 0,0482*0,4 = 26,9 пф ? 30 пф
С’1 = (С2*С3) / (С2+С3) = 3300/140 = 23,57 ? 25 пф б) действительные ёмкости контура:
С9 = С2 – С22 = 110 – 11,8 = 98,2 пф ? 100 пф
С10 = С3 – С11 = 30 – 25,8 = 4,2 пф ? 5 пф
С11 = (С1*С’1) / (С’1-C1) = 15*25 / 25-15 = 37,5 пф
4.20 Задавшись коэффициентов связи между катушками L2 и L3, m3 = 0,1 и kтк
= 0,3 получим:
L3 = L2*m23 / k2тк = 82 * 0,01/0,09 = 9,11 мкГн

4.5. Расчёт детектора АМ сигнала.

Исходными данными для расчёта всех детекторов является:
- значение промежуточной частоты fпч = 465 кгц
- значения нижней и верхней частот модуляции
- допустимые амплитудные искажения на нижних и верхних частотах модуляции
Мн=Мв=1,1..1,2
- входное сопротивление (R вх узч) и ёмкость выбранной ИМС УЗЧ (С вх узч =
25 пф)

Определяем сопротивление нагрузки:
Rн = 2*0,3*4,6 = 2,76 кОм

[pic]

Рисунок 10.
Определим значения R1 и R2 по графику на рисунке 10.
Получаем R2 = 1,4 кОм. примем как = 1,2 кОм

Определяем R1 = Rн – R2 = 2,76 – 1,2 = 1,56 кОм ? 1,5 кОм

Общее сопротивление нагрузки переменному току
Rн = R1 + (R2*Rвх н) /(R2 +Rвх н) = 1,5+0,79 = 2,3 кОм

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: конспекты занятий в детском саду, налоги реферат, реферат деятельность.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки