Расчёт элементов эмиттерно-связанной логике
Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
Теги реферата: реферат сила, понятие культуры
Добавил(а) на сайт: Дроков.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 | Следующая страница реферата
[pic], (2.21)
определяем и :
[pic]
[pic]
Из формулы:
[pic], (2.22)
определяем входное сопротивление элемента, когда на входе действует напряжение логического “0”:[pic]
Из формулы:
[pic], (2.23)
определяем входное сопротивление элемента, когда на его входе действует напряжение логической “1”:[pic]
Из формулы:
[pic], (2.24)
определяем входное сопротивление элемента, когда на выходе действует
напряжение логического “0”:[pic]
Из формулы (24) определяем выходное сопротивление элемента, когда на выходе
действует напряжение логической “1”:[pic]
Расчёт динамических параметров
Из формулы:
[pic], (2.25)
где fT – граничная частота усиления транзистора.
При fT=11 МГц определяем:
[pic]
Из формулы:
[pic], (2.26) и
[pic], (2.27)
где М – количество транзисторов в схеме VT1(VT3, VT6; Ск - ёмкость
коллекторных переходов транзисторов; Сп1 – паразитная ёмкость металлических
соединений и изоляции транзисторов и резистора R1; С2 – ёмкость на выходе
транзистора VT6; В – статическое значение коэффициента усиления транзистора
VT6; Сн – ёмкость нагрузки; Сп2 – паразитная ёмкость изоляции резистора R6
и металлических соединений подключенных к выходу схемы.
При М=4, Ск=2 пФ, Сп1= 1 пФ, Сн=30 пФ, Сп2= 2 пФ.
[pic]
[pic]
Из формулы:
[pic], (2.28)
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: доклад о животных, дипломная работа разработка, реферат субъекты.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 | Следующая страница реферата