Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

IК0 = 5 mA, ЕКЭ = 7 B и ЕЭ = 2 B.

Рассчитываем сопротивление автосмещения в эмиттерной цепи

R3 =ЕЭ / IК0 = 2/ 5 ? 10-3 = 400 Ом

Выбираем стандартное значение сопротивления R3 = 430 Ом.

Рассчитываем напряжение источника питания

EK = ЕКЭ + ЕЭ = 7 + 2 = 9 B.

Определяем ток базы

IБ0 = IК0 /?0 =5 ? 10–3 / 100 = 50 мкА,

где ?0 – коэффициент передачи тока транзистора.

Задаём ток делителя напряжения цепи фиксированного смещения

IДЕЛ = (10…20) ? IБ0 = 10 ? 50 ?10-6 = 500 мА.

Определяем сопротивление делителя напряжения

RДЕЛ = R1 + R2 =EK / IДЕЛ = 9 / 500 ? 10-6 = 18 кОм.

Определим напряжение смещения на базе транзистора

ЕБ = ЕЭ +0.7 = 2 + 0.7 = 2.7 В.

Найдем значения сопротивлений R1 и R2

R1 = ЕБ / IДЕЛ = 2.7 / 500 ? 10-6 = 5.4 кОм,

R2 = RДЕЛ – R2 = 18 – 5.4 = 12.6 кОм.

Выбираем стандартные значения сопротивлений R1 и R2:

R1 = 5.6 кОм, R2= 12 кОм.

3. Расчёт по переменному току.

Определяем крутизну транзистора:

S = [pic],

где [pic] - высокочастотное сопротивление базы, [pic] - сопротивление эмиттерного перехода.

[pic] = ?К / СК = 500 ? 10-12 / 7 ? 10-12 = 71.43 Ом,

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: изложение 4 класс, класс, реферат услуги.



Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки