Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Рассчитаем напряжение питания усилителя по формуле:

[pic] (9) где [pic] - падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер выходного транзистора в режиме насыщения, В;

[pic] - падение напряжения на резисторе, установленном в эмиттерной цепи выходного каскада, В;

Для большинства мощных транзисторов [pic] = 0,5..2 В. Предварительно можно принять [pic] = 1 В. Зададимся падением напряжения на резисторе, установленном в эмиттерной цепи: [pic] = 1 В

Подставим рассчитанные напряжения в формулу (9) и определи напряжение питания усилителя:

[pic]= 32,98 В

Полученную величину округлим до ближайшего целого числа, а затем примем из стандартного ряда:

[pic] = 35 В

Зная напряжение питания усилителя и максимальный ток протекающий через нагрузку, выберем транзисторы для выходного каскада по следующим условиям:

Ikmax ( Iнmax + Ikп

Uкэmax ( 2( Ek

По справочной литературе [5] выбираем следующие транзисторы:

VT8 KT827B

VT9 KT825B

Со следующими параметрами:

Uкэmax8 = 100 В Ikmax8 = 20 А [pic] = 3 В

Характеристики транзистора представлены на рис 15, 16

По рис 15 определим напряжение на переходе база-эмиттер:

[pic]

Рассчитаем сопротивление резисторов R10 и R11 по формуле:

[pic] Ом (10)

Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

[pic]0,062 Ом

По рис 16 определим ток коллектора покоя, а также статический коэффициент передачи тока транзистора VT8:

Ikп8 = 4 А h21Э8 = 39000

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: инновационная деятельность, реферат на тему развитие, украинские рефераты.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки