Регулятор температуры

Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
Теги реферата: реферат знания, скачать сообщение
Добавил(а) на сайт: Katranovskij.

7 Q

R

8 R 9

11 Q

6 +U

-U

Выберем компаратор К554СА3Б со следующими параметрами:
Un = +/-15 B (+/-1.5 В) ; Iпот1 < 7.5 mA ; Iпот0 = 5 mA ;
Ucм < 7.5 mB ; Iвх ср < 0.25 mkA ;

Для управления импульсным ключом необходимо на его вход подавать управляющие импульсы, преобразованные из аналоговых сигналов задания и сигнала с датчика температуры. Для этой цели выберем широтно импульсную модуляцию ШИМ - 1. Я реализую ШИМ - 1 модулятор на компараторе. Более точная модуляция в данном проекте не требуется т.к. на входе компаратора сигнал не сложной формы. А ШИМ - 1 более прост в настройке ( легко можно посмотреть на экране осциллографа ). На один вход компаратора подаются контрольные импульсы с генератора пилообразных импульсов. На другой вход компаратора подаются сигнал задания и сигнал с датчика температуры, обработанные определенным образом.
На выходе компаратора образуются управляющие импульсы.

3.3. Генератор пилообразных импульсов.

Генератор пилообразных импульсов сделаем на основе генератора прямоугольных импульсов построенного на логических элементах.
Генератор прямоугольных импульсов построим на основе микросхемы К561ЛН2
,выполненной по технологии КМОП . Эта микросхема содержит 6 логических элементов НЕ три из которых мы используем. На входы оставшихся трех элементов подадим логический уровень 1 .

+15 B

R4

1 1 1 R7 VT

C2

R1 R2 R3 C1

VD

Произведем расчет и выбор навесных элементов микросхемы.

Генератор будем строить на частоту f = 10 Кгц , что соответствует периоду Т = 100 мкС .
Из этого условия выбираем сопротивление R4, принимая величину емкости С2 =
820 пФ.
R4 C2 = 100мкС R4 = 1.22 105
Из ряда резисторов выбран номинал R4 = 130 Ком .
Величина параллельного сопротивления резисторов R2 R3 должна находиться в пределах от 3 до 4 кОм, чтобы не перегрузить логический элемент по току.
Пренебрегая R2 выберем R3 = 3.6 кОм .
Длительность импульса на выходе последнего логического элемента должна находиться в пределах 1...2 мкс. Примем длительность импульса tи = 1.5 мкс. В моей схеме длительность импульса определяется С1 R3 = tи . Отсюда определим величину емкости С1.
С1 = 4.167 10-10 Ф
Выберем величину емкости С1 из ряда емкостей С1 = 3.9 10-10.
С1 R3 = 1.404 мкС. Это значение удовлетворяет нашему промежутку.
В моей схеме период импульса определяется С1 R2 = Т.
Отсюда найдем величину сопротивления R2
R2 = 2.564 105 Ом
Из ряда резисторов выберем номинал R2 = 2.7 105 Ом.
Величина сопротивления R1 должна находиться в пределах
10...500 Ком . Примем R1 = 100 Ком.
Транзистор в этой схеме выбран КТ603А со следующими параметрами Ikmax = 0.3
A ; UКЭ = 30 В ; ( = 80 .
Резистор R7 выбираем по току базы транзистора .
Ik = Ikmax - 30% = 0.21A
Iб = Ik / ( = 2.625 mA
R7 = Un / Iб = 5714 Ом
Из ряда резисторов выбираем номинал R7 = 5.6 Ком

4. Блок питания

-Uвх СТ -Uвых
-15В

+Uвх +Uвых +15В
(220 В

GND

+5В

-5В

Блок питания требуется с двумя двухполярными источниками. Одним пяти вольтовым источником , для питания импульсного ключа, и вторым пятнадцати вольтовым источником питания , для микросхем .
Для питания импульсного ключа стабилизатор напряжения не нужен, и я использую простую схему диодный мост VD11 - VD14 марки КД209 и конденсаторы С14 = С15 = 100 мкФ и С12 = С13 = 0.01 мкФ .

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки