Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата

а). Сначала найдём Сu кэ , чтобы найти Rб.
Так как в справочнике Сu кэ найдена при напряжении 12 В, а нам необходима при 10 В, то используем такую формулу:
[pic], (2.8) где СUкк1 – ёмкость коллектор-эмиттерного перехода, рассчитанная при
Uкэ1,

Uкэ2 – напряжение, при котором необходимо найти СUкк2.
Подставим численные значения в формулу (2.8):
[pic]Ф.

Теперь найдём Rб по формуле:
[pic] (2.9)
Подставим численные значения:
[pic]Ом. б). Сопротивление эмиттера
[pic]Ом. (2.10)
Здесь Iэ – в мили Амперах. в). Проводимость база-эмиттер
[pic]Ом -1. (2.11) г). Ёмкость эмиттерного перехода
[pic]Ф. (2.12) д). Крутизна
[pic] (2.13)
[pic] (2.14) е).
[pic]Ом. (2.15) ж). В соответствии с формулой (2.8):
[pic]Ф.

Элементы схемы Джиаколетто: gб=0,934 Ом-1 gбэ=16,8(10-3 Ом-1 gi=13,3(10-3 Ом-1
Cэ=100 пФ
Ск=5,1 пФ

[pic]

Рисунок 2.5 - Эквивалентная схема Джиаколетто

2). Однонаправленная модель [3]
Lвх=Lэ+Lб=0,2+1=1,2 нГн
Rвх=rб=1,07 Ом
Rвых=Ri=gi –1=75,2
Свых=Ск=5,1 пФ
G12ном=(fmax/fтек)2=(3060/200)2=15,32=234,09

[pic]

Рисунок 2.6 - Однонаправленная модель

2.3.4. Расчет цепей питания и термостабилизации

1). Эмиттерная термостабилизация [4]
Найдём мощность, рассеиваемую на Rэ:
Рабочая точка: Iк0=0,11 А

Uкэ0=7 В
Для эффективной термостабилизации падение напряжения на Rэ должно быть порядка 3-5В. Возьмём Uэ=3В. Тогда мощность, рассеиваемая на Rэ определяемая выражением (2.16), равна:
PRэ=Iк0(Uэ=0,11(3=0,33 Вт.
(2.16)

[pic]

Рисунок 2.7 - Схема оконечного каскада с эмиттерной термостабилизацией

Найдём необходимое Еп для данной схемы:
Еп=URэ+ Uкэ0+ URк=3+7+0=10 В. (2.17)
Рассчитаем Rэ, Rб1, Rб2:
[pic]Ом, (2.18)
[pic] мА, (2.19) ток базового делителя:
Iд=10(Iб=9,73 мА, (2.20)
[pic] Ом, (2.21)
[pic] Ом. (2.22)
Найдём Lк, исходя из условий, что на нижней частоте полосы пропускания её сопротивление много больше сопротивления нагрузки. В нашем случае:
[pic]мкГн. (2.23)

2). Активная коллекторная термостабилизация [4]

[pic]

Рисунок 2.8 – Схема активной коллекторной стабилизации

Напряжение UR4 выбирается из условия: [pic][pic]В.
Возьмём UR4=1,5 В.
Рассчитаем мощность, рассеиваемую на R4:
PR4=UR4(IК02=1,5(0,11=0,165 Вт.
(2.24)
Найдём ЕП:
ЕП=Uкэ 02+UR4=7+1,5=8,5 В, (2.25) где Uкэ 02 – напряжение в рабочей точке второго транзистора.
[pic] Ом (2.26)
Первый транзистор выбирается исходя из условия, что статический коэффициент передачи тока базы (01=50(100.
Примем (01=75.
Ток базы второго транзистора находится по формуле (2.19):
[pic] мА.
[pic] В. (2.27)
[pic] кОм. (2.28)
В соответствии с формулой (2.19):
[pic]А.
Ток базового делителя первого транзистора рассчитывается поформуле
(2.20):
Iд1=10(Iб1=10(19,5(10-6=0,195 мА.
[pic] кОм. (2.29)
[pic] кОм. (2.30)
Так как усилитель маломощный, то возьмём эмиттерную термостабилизацию.

2.3.5. Расчёт выходной корректирующей цепи

[pic]

Рисунок 2.9 - Выходная корректирующая цепь

Нормировка элементов производится по формулам (2.31):
[pic], (2.31) где Rнор и wнор – сопротивление и частота, относительно которых производится нормировка,
L, C, R – значения нормируемых элементов
Lн, Cн, Rн – нормированные значения.

Нормируем Свых (относительно Rн и wв) в соответствии с (2.31)
СвыхН=Свых(Rн(wв=5,1(10-12(50(2((200(106=0,32
В таблице 7.1 [4] находим нормированные значения L1 и С1, соответствующие найденному СвыхН. Ближайшее значение СвыхН=0,285, ему соответствуют:
С1Н=0,3
L1Н=0,547
(=1,002.
Денормирование элементов производится по следующим формулам:
[pic] (2.32)
По (2.32) разнормируем С1Н и L1Н :
[pic] нГн,
[pic]пФ.
Найдём ощущаемое сопротивление транзистора:
Rощ=Rн/(=50/1,002=49,9 Ом (2.33)

2.3.6. Расчёт межкаскадной корректирующей цепи

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: экзамены, реферати українською, компьютер реферат.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки