Типовые проверочные задания по дисциплине

Технология и эксплуатация САПР

1 билет

1. Основные этапы технологии биполярных ИС.
Базовый процесс формирования биполярной интегральной схемы (ИС) может быть показан на примере формирования интегрального транзистора. Исходным материалом сослужит пластина Si с проводимостью p-типа. Последовательность технологических операций следующая: а) Очистка пластины; б) окисление; в) фотолитография (ФЛ) для создания скрытого коллектора; г) диффузия для создания скрытого коллектора; д) снятие оксида; е) осаждение эпитаксиального слоя Si n-типа; ж) повторное окисление; з) ФЛ для проведения диффузии в изолирующую область и область базы; и) диффузия для создания базы и изолирующих областей; к) окисление и ФЛ для создания области эмиттера; л) диффузия для создания области эмиттера и замыкающего кольца; м) первая ФЛ для создания n+ контактных областей к коллектору и эмиттеру;

н) вторая ФЛ для создания базовых диффузионных областей под контакты; о) металлизация Al; п) ФЛ для создания контактов, вжигание Al; р) металлизация и ФЛ для создания межсоединений; с) тестирование, скрайбирование, сборка, герметизация.

2. Технология изготовления шаблонов электронно-лучевой литографии.

Разрешающая способность ФЛ достигла теоретического предела, равного ширине линий 0,8-1 мкм. Для создания субмикронных размеров линий необходимо переходить к другим методам облучения резистов, используя другие длины волн излучения, например, электронами. Эти методы объединены общим названием - элионная технология. Она позволяет расширить пределы ФЛ за счет более высокой разрешающей способности. Используя присущую электронно-лучевой литографии (ЭЛЛ) повышенную разрешающую способность можно сразу изготовить эталонный шаблон (ЭШ) (с рабочими размерами ИС) без обязательных для ФЛ операций фотоуменьшения. Последовательность технологических операций при изготовлении ЭШ методами ЭЛЛ следующая:

- разработка топологии ИС на ЭВМ;

- преобразование информации в цифровую форму (занесение на магнитные носители);

- передача информации на электронно-лучевой генератор изображения;

- экспонирование электронным лучом электронрезиста;

- проявление;

- травление и снятие резиста.

При использовании ЭЛЛ сокращается время экспонирования, исключается ряд критических операций, к примеру, многократное совмещение промежуточного фотошаблона. ЭЛЛ позволяет формировать на одном шаблоне структуры с различной топологией. Она обеспечивает меньшую плотность дефектов и лучшую воспроизводимость ширины линий рисунка топологии ИС.
2 билет

1. Назначение и методы литографии.
_Литография .- процесс создания защитной маски, необходимой для локальной обработки при формировании структуры ИС по планарной технологии. Литография основана на свойствах стойкого к последующим технологическим воздействиям материала - резиста, способного менять необратимо свои свойства под воздействием облучения с определенной длиной волны. При этом слой резиста наносят на поверхность, подвергающуюся локальной обработке, и облучают его через специально предназначенный для этих целей шаблон. В результате химической обработки при проявлении с отдельных участков резист удаляется, а оставшийся на поверхности резист используют как маску.

В зависимости от длины волны 7l 0применяемого облучения различают оптическую (фото) ( 7l 0=300-400нм), электронную ( 7l 0-0,1нм), рентгеновскую ( 7l 0=0,1-1нм), ионно-лучевую ( 7l 0=0,05-0,1нм) литографию.

2. Технология биполярных ИС с комбинированной изоляцией по этой технологии обеспечивается формирование элементов ИС с изоляцией p-n- переходом их горизонтальных участков и диэлектриком вертикальных боковых областей (SiO 42 0и Si 43 0N 44 0).

Основными процессами этой технологии являются: а) изопланарная технология; б) эпипланарная; в) полипланарная.

Рассмотрим изопланарный процесс. Он основан на использовании Si пластин с тонким эпитаксиальным слоем, селективного термического окисления Si на всю глубину эпитаксиального слоя вместо разделительной диффузии. При этом используются специфические свойства Si 43 0N 44 0на первых стадиях формирования структуры ИС. Эта технология позволяет создавать тонкие базовые области и малые коллекторные области с оксидными боковыми стенками, т.е. позволяет формировать структуры малых размеров и высокого быстродействия. Последовательность формирования структуры ИС по одной технологии следующая:

- наращивание на пластине Si p-типа с эпитаксиальным слоем n-типа и скрытым n+ слоем слоя Si 43 0N 44 0;

- ФЛ окон по изолирующие области;

- травление эпитаксиального слоя Si;

- заполнение вытравленных канавок слоем SiO 42 0;

- удаление нитрида кремния;

- формирование в локальных областях кремния n типа транзисторных структур.
3 билет

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки