Предыдущая страница реферата | 13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23 | Следующая страница реферата

В отличии от обычного понятия крутизны, которая характеризует управляющие свойства затвора, удельная крутизна определяется геометрией транзистора

[pic]мА / В2 где (о ( диэлектрическая проницаемость вакуума, Ф / см;

(д ( диэлектрическая проницаемость диэлектрика (для SiO2 значение (д=
3,5);

( ( приповерхностная подвижность носителей ( она в 2(3 раза меньше объемной), см2 / В(с;

L ( длина канала;

Z ( ширина затвора; a ( расстояние от «дна» n-слоя до металлургической границы (мкм).

Квадратичная аппроксимация тока стока на пологих участках (3.1) отражает линейную зависимось крутизны от напряжения на затворе, что является одной из отличительных черт полевых транзисторов. Крутизна транзистора в пологой области определяется выражением

[pic]

(3.3)

Максимальное значение крутизны Sмак для канального транзистора получается при напряжении на затворе, равном нулю(

[pic] (3.4)

Если при расчетах усилительных схем более удобной окажется зависимость крутизны от тока стока , а не от напряжения на затворе, то, объеденив формулы (3.1 и 3.3), получим

[pic] (3.5)

Выражение (3.1) по существу описывает стокозатворную характе-

ристику.

Примечание. Разница между эспериментальными данными и расчетами, выполненными по формулам (3.1 и 3.3), не превышает 5%, что объясняется (в области малых напряжений на затворе) влиянием внутренней отрицательной обратной связи, проявляющейся на объемных сопротивлениях истока и стока (rи и rс соответственно). В большинстве случаев эти сопротивления при инженерных расчетах не учитываются (диапазон его изменения от 30 до 800
Ом).

При работе на крутом участке ВАХ ток стока

[pic] (3.6)

Кроме рассмотренных параметров канального транзистора заслуживают внимания малосигнальные статические параметры: а) дифференциальное (внутреннее) сопротивление канала характеризуется наклоном характеристик при полностью открытом канале, когда Uзи=0.

[pic]

Дифференциальное сопротивление канала ( это фактически выходное сопротивление транзистора (определяется в режиме насыщения);

Значение этого параметра особенно важно для случаев применения полевых транзисторов в схемах аналоговых коммутаторов и модуляторов или в качестве регулируемого сопротивления; во всех этих случаях транзистор работает в крутой области ВАХ( б) статический коэффициент усиления по напряжению

[pic]

Коэффициент Кстат показывает, во сколько раз управляющие свойства затвора сильнее, чем у стока. Знак минус говорит лишь о том, что для поддержания постоянного тока через транзистор напряжения на затворе и на стоке должны быть противоположными по знаку; в) статическое сопротивление транзистора по постоянной составляющей тока, Ом[pic] (определяется в рабочей точке по ВАХ); г) входное сопротивление между затвором и истоком (определяется при максимально допустимом напряжении между этими электродами):

[pic]

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: изложение материала, культурология, сочинения по литературе.



Предыдущая страница реферата | 13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки