Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Повторяющееся напряжение, определяющее класс вентиля, выбирается с запасом :

UП ? UВМ / Kзн , где Кзн - коэффициент запаса по напряжению.

UП ? 363/ 0,8 = 453 В

Выберем по справочнику прибор со следующими параметрами:

. Тип прибора – ТО132-40-6

. Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии

– 40 А.

. Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии: наибольшее мгновенное значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемое к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения

– 600 В.

. Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии: наибольший ток в открытом состоянии, протекание которого вызывает превышение максимально допустимой температуры перехода, но воздействие которого за время службы тиристора предполагается редким, с ограниченным числом повторений – 750 А.

. Отпирающий постоянный ток управления: наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора – 150 мА.

. Отпирающее импульсное напряжение управления – 2,5 В.

. пороговое напряжение (напряжение отсечки) - 1,15 В.

. динамическое (дифференциальное) сопротивление прямой вольтамперной характеристики вентиля в открытом состоянии - 6 Ом.

. общее установившееся тепловое сопротивление - 0,3 °С/Вт

Расчет температуры нагрева вентиля

1 Температура полупроводниковой структуры Тр„п зависит от мощности потерь , образующихся в полупроводниковой структуре.
В нормальных режимах работы на частотах не более 200Гц потери в основном обусловлены протеканием прямого тока прибора. Эти потери составляют 95+98 % от полных потерь в приборе и определяются выражением

?P = U0 * IB + Rд * Kф2 * IB2, где U0 - пороговое напряжение (напряжение отсечки), В;

IB - среднее за период значение прямого тока вентиля. А;

Rд - динамическое (дифференциальное) сопротивление прямой вольт- амперной характеристики вентиля в открытом состоянии , Ом ;

Кф = Iэф / IB - коэффициент формы тока , протекающего через прибор;

Iэф и IB - среднее по модулю и эффективное значение прямого тока, протекающего через вентиль .
В этом случае дополнительными потерями обычно пренебрегают .

?P = 1,15 * 25 = 28,75 Вт.

2 Эквивалентная температура полупроводниковой структуры определяется выражением

Tp-n = Tc + ?P * RT где Тс - температура окружающей среды (или охлаждающего агента при принудительном охлаждении) , °С;

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: культурология как наука, решебник 8, реферат способы.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки