Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

(3.3.19)

3.3.3.2 Однонаправленная модель

Поскольку рабочие частоты усилителя заметно больше частоты [pic], то из эквивалентной схемы можно исключить входную ёмкость, так как она не влияет на характер входного сопротивления транзистора. Индуктивность же выводов транзистора напротив оказывает существенное влияние и потому должна быть включена в модель. Эквивалентная высокочастотная модель представлена на рисунке 3.7. Описание такой модели можно найти в [2].

[pic]

Рисунок 3.7

Параметры эквивалентной схемы рассчитываются по приведённым ниже формулам [2].

Входная индуктивность:

[pic],

(3.3.20) где [pic]–индуктивности выводов базы и эмиттера.

Входное сопротивление:

[pic],

(3.3.21) где [pic], причём [pic], [pic]и [pic] – справочные данные.

Крутизна транзистора:

[pic],

(3.3.22) где [pic], [pic], [pic].

Выходное сопротивление:

[pic].

(3.3.23)

Выходная ёмкость:

[pic]. (3.3.24)

В соответствие с этими формулами получаем следующие значения элементов эквивалентной схемы:

[pic]нГн;

[pic]пФ;

[pic]Ом

[pic]Ом;

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: сочинение 7, контрольная на тему, инновационный менеджмент.



Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки