Предыдущая страница реферата | 6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16 | Следующая страница реферата

Определяем перегрев места крепления прибора с охладителем по формуле:

[pic], (2.5.75)

где P8 – мощность, рассеиваемая на транзисторе VT8 (VT9).

Определяем в первом приближении средний перегрев основания охладителя по формуле:

[pic], (2.5.76)

По рисунку 2.5.1 выбираем охладитель, обеспечивающий при заданном перегреве коэффициент теплоотдачи [pic]Вт/(м2К).

Параметры выбранного охладителя: H=20мм, Sш=10мм, L1=L2=40мм.

Уточняем размер основания по форуле:

[pic]м2. (2.5.77)

Определяем размер основания L2:

[pic]мм2 (2.5.78)

Расчет охладителя для транзистора VT3.

Определяем тепловое сопротивление контакта между прибором и охладителем RК:

[pic], (2.5.79)

где SК – площадь контактной поверхности, м2.

Определяем перегрев места крепления прибора с охладителем по формуле:

[pic], (2.5.80)

где P3 – мощность, рассеиваемая на транзисторе VT3.

Определяем в первом приближении средний перегрев основания охладителя о формуле:

[pic], (2.5.81)

По рисунку 2.5.1 выбираем охладитель, обеспечивающий при заданном перегреве коэффициент теплоотдачи [pic]Вт/(м2К).

Параметры выбранного охладителя: H=20мм, Sш=10мм, L1=L2=40мм.

Уточняем размер основания по форуле:

[pic]мм2. (2.5.82)

Определяем размер основания L2:

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: шпаргалки по управлению, реферат лист, анализ курсовой работы.



Предыдущая страница реферата | 6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки