Усилитель мощности на дискретных элементах
Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
Теги реферата: література реферат, дипломная работа персонал
Добавил(а) на сайт: Аверьян.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата
Исходными данными для выбора транзистора служат: амплитуда
коллекторного тока Iкmax , максимальное напряжение коллектор-эмиттер Uкэmax
, максимальная частота коллектора, режим работы, требуемый коэффициент
усиления по току, максимальная рассеваемая мощность Pкmax.
Для выбора транзисторов необходимо соблюдать следующие условия:
- мощность, рассеваемая на коллекторе транзистора Pк, не должна превышать допустимую Pкдоп;
- ток коллектора не должен превышать допустимый Iкдоп;
- напряжение коллектор - эмиттер не должно превышать допустимое
Uкэдоп;
- верхняя частота не должна превышать граничную.
[pic] (2.5.3) .
Выбираем транзисторы КТ819В и КТ818В (параметры приведены в приложении
А).
Расчет проводим для одной полуволны входного сигнала.
По зависимости коэффициента передачи тока от тока коллектора определяем коэффициент передачи тока в статическом режиме h21эп8=108 и в динамическом h21э8=20.
Находим ток базы покоя и амплитуду тока базы транзистора VT8:
[pic], (2.5.4)
По входной характеристике находим напряжение база - эмиттер покоя
транзистора VT8 Uбэп8 = 0.52В, а так же при максимальном значении тока базы
Uбэm8 = 1.37 В .
Определяем входное сопротивление транзистора VT8 в режиме покоя h21эп8:
[pic]. (2.5.5)
Рассчитываем резистор R8. Данный резистор служит для компенсации теплого тока транзистора VT8:
[pic]. (2.5.6)
По данным расчета выбираем стандартный резистор МЛТ–0.125Вт–1кОм
[pic].
Рассчитываем ток эмиттера покоя транзистора VT6 Iэп6.
[pic] (2.5.7).
Рассчитываем амплитуду тока эмиттера транзистора VT6 Iэm6. Учитывая, что Iбm8 много больше Iбп8 , следовательно h11э8 много меньше h11эm8, то
Iэm6 принимаем равным Iэm8, т.к. ток в резисторе R8 близок нулю.
[pic]. (2.5.8)
Выбираем транзисторы VT6 и VT7 по следующим параметрам
[pic] (2.5.9) .
Выбираем транзисторы КТ815В и КТ814В (параметры приведены в приложении
А).
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: шпаргалки по управлению, реферат лист, анализ курсовой работы.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата