Предыдущая страница реферата | 4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 | Следующая страница реферата

[pic];

(4.33)

[pic],

(4.34)

[pic];

(4.35)

[pic];

(4.36)

[pic]
(4.37)

[pic]

(4.38)

После подстановки получаем следующие значения:
[pic] Ом
[pic]А
[pic]
[pic] Ом
[pic]
[pic]
[pic]Ом
[pic]
[pic]Ом

Рассеиваемая мощность на сопротивлении R4 определяется по выражению:

[pic]

(4.39)
После подстановки имеем:

[pic]
В результате, если сравнить все три вида схем термостабилизации, то видно, что лучше взять активную коллекторную, так как она более экономична. К тому же, у высокочастотных транзисторов на высокой частоте эмиттер заземлен, поэтому эмиттерная термостабилизация не используется.

4.5 Расчет элементов высокочастотной коррекции

4.5.1 Расчет выходной корректирующей цепи

Из теории усилителей известно [1,6], что для получения максимальной выходной мощности в заданной полосе частот необходимо реализовать ощущаемое сопротивление нагрузки для внутреннего генератора транзистора, равное постоянной величине во всем рабочем диапазоне частот. Этого добиваются включением выходной емкости транзистора (см. рисунок 4.10) в фильтр нижних частот, используемый в качестве выходной корректирующей цепи (ВКЦ). Схема включения ВКЦ приведена на рисунке (4.10).

[pic]

Рисунок 4.10 - Схема выходной корректирующей цепи

При работе усилителя без ВКЦ модуль коэффициента отражения |[pic]| ощущаемого сопротивления нагрузки внутреннего генератора транзистора равен

|[pic]|=[pic], (4.40) а уменьшение выходной мощности относительно максимального значения, обусловленное наличием Cвых, составляет:

[pic], (4.41) где [pic] - максимальное значение выходной мощности на частоте [pic] при условии равенства нулю [pic];

[pic] - максимальное значение выходной мощности на частоте [pic] при наличии [pic].

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: курсовые работы, класс, реферат вещество.



Предыдущая страница реферата | 4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки