Предыдущая страница реферата | 3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 | Следующая страница реферата

[pic]
1.3.4. Расчет схем термостабилизации транзистора КТ 934В.

Эмиттерная термостабилизация приведена на рис.1.9.[8]

[pic]

Рисунок 1.9 Схема эмитерной термостабилизации.

Расчет номиналов элементов осуществляется исходя из заданной рабочей точки. Напряжение на эмиттере должно быть не менее 3-5 В (в расчетах возьмем 3В), чтобы стабилизация была эффективной.

Рабочая точка:

Uкэ0= 18В,

Iк0=0.7А.

Учтя это, получим:

[pic], где [pic], а коллекторный ток – [pic], что было получено ранее, тогда: [pic] и [pic] 1.16)

Видно, что рассеиваемая мощность довольно велика.

Базовый ток будет в [pic] раз меньше коллекторного тока:

[pic], (1.17) а ток базового делителя на порядок больше базового:

[pic] (1.18)

Учтя то, что напряжение питания будет следующим:

[pic], (1.19) найдем значения сопротивлений, составляющих базовый делитель:

[pic] (1.20)

[pic] (1.21)

Схема активной коллекторной термостабилизации усилительного каскада приведена на рис.1.10.

[pic]

Рисунок 1.10 – Схема активной коллекторной термостабилизации.

В качестве управляемого активного сопротивления выбран транзистор
КТ361А со средним коэффициентом передачи тока базы 50.[9] Напряжение на сопротивлении цепи коллектора по постоянному току должно быть больше 1 В или равным ему, что и применяется в данной схеме [4].

Энергетический расчет схемы:

[pic]. (1.22)

Мощность, рассеиваемая на сопротивлении коллектора:

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: сочинение отец, доклад по обж, решебник 6.



Предыдущая страница реферата | 3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки