РГРТА

Кафедра КПРА

Курсовая работа по курсу: “Технологические процессы микроэлектроники”

На тему: ”Усилитель промежуточной частоты”

Выполнил ст. гр. 952

Проверил:

Рязань 2002

Содержание

Кафедра КПРА 1
Рязань 2001 1
Содержание 2

Исходные данные: 3
Введение 4
Анализ технического задания 5
Разработка топологии 6
Резисторы. 6
Конденсаторы 11
Заключение…………………………………………………………………………………………….16
Список литературы 17

Исходные данные:

Номиналы

R1, R10 – Резистор 12.0 kОМ 2шт; C1, C4 –
Конденсатор 0.03 мкФ 2шт

R2 – Резистор 7.5 kОМ 1шт; С2,
С5 – Конденсатор 6800 рФ 2шт

R3 – Резистор 5.0 kОМ 1шт; С3,
С6 – Конденсатор 1500 рФ 2шт

R4, R7 – Резистор 15.0 kОМ 2шт;

R5 – Резистор 2.0 kОМ 1шт; VT1,
VT2 – Транзистор КТ324В 2шт

R6 – Резистор 510 ОМ 1шт;

(СБО.336.031 ТУ)

R8 – Резистор 0.34 kОМ 1шт;

R9 – Резистор 2.8 kОМ 1шт; ТР1 –
Трансформатор ВЧ. 1шт

Плату следует изготовить методом фотополитографии.

Эксплуатационные требования: Тр = -150 +400С, tэ = 1000 ч., корпус, серия
К151,159.

Введение

Постоянной тенденцией в радиоэлектронике является уменьшение габаритов и масс аппаратуры, повышение ее надежности. До появления интегральных микросхем этот процесс протекал в направлении миниатюризации отдельных элементов. Следующим шагом в миниатюризации было создание техники интегральных микросхем. Этот этап принципиально отличался от предыдущих тем, что в нем аппаратура собирается не из отдельных элементов или модулей, а из функциональных схем, образованных в едином технологическом процессе производства. Основными разновидностями технологии микросхем являются: пленочная, полупроводниковая и смешанная.

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки