Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8 | Следующая страница реферата

По формулам (2.2.1) и (2.2.2) рассчитаем рабочую точку.

Uкэ0=3 (В)

Iк0=0,022 (А)

Pвых=[pic]=[pic]=0,01 (Вт) - выходная мощность;

Eп=Uкэ0=3 (В) - напряжение питания;

Рк расс=Uкэ0(Iк0=0,066 (Вт) - мощность, рассеиваемая на коллекторе;

Рпотр= Eп(Iк0=0,066 (Вт) – мощность, потребляемая каскадом;
Таблица 2.2.1.1- Характеристики вариантов схем коллекторной цепи.
| |Еп,(В) |Ррасс,(Вт|Рпотр,(Вт|Iк0,(А) |
| | |) |) | |
|С Rк |5,2 |0,132 |0,2288 |0,044 |
|С Lк |3 |0,066 |0,066 |0,022 |

Как видно из таблицы, лучше использовать каскад с дросселем в цепи коллектора На основании следующих неравенств: Uкэ0(допустимое)>Uкэ0*1,2;
Iк0(доп)>Iк0*1.2; Рк расс> Рк расс(доп)*1,2; fт>(3(10)*fв>2300 МГц выберем транзистор КТ371А. Его параметры [3] необходимые при расчете приведены ниже:

(с=8 пс и Ск=0,7 пФ при Uкэ=10 В, (0=150, Uкэ0(доп)=10 В, Iк0(доп)=30 мА,
Рк расс(доп)=0,1 Вт, fт=4,5 ГГц, Lб=2,5 нГн, Lэ=2,5 нГн.

2.2.2 Выбор транзистора и расчет эквивалентной схемы замещения.

2.2.2.1Расчёт параметров схемы Джиаколетто.

Рисунок 2.2.2.1.1- Эквивалентная схема биполярного

транзистора (схема Джиаколетто).

Проведём расчёт элементов эквивалентной схемы замещения транзистора [4], используя паспортные данные:

Ск(треб)=Ск(пасп)*[pic]=0,7([pic]=0,9 (пФ), где Ск – ёмкость коллекторного перехода; rб= [pic]=11,43 (Ом); gб=[pic]=0,0875 (Cм), где rб и gб сопротивление и проводимость базы соответственно,

?с – постоянная времени цепи обратной связи; rэ=[pic] =1,82 (Ом), - сопротивление эмиттера, где Iк0 взят в мА; gбэ=[pic]=0,0036 (См), – проводимость перехода база-эмиттер, где ?0 – статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ;

Cэ=[pic]=24,3 (пФ), - ёмкость эмиттерного перехода, где fт граничная частота транзистора;

Ri= [pic]=333 (Ом), gi=0.003(См), где Ri и gi выходные сопротивление и проводимость транзистора соответственно.

2.2.2.2Расчёт однонаправленной модели транзистора.

Данная модель применяется в области высоких частот [5].

Рисунок 2.2.2.2.1- Однонаправленная модель транзистора.

Lвх= Lб+Lэ=(2,5+2,5)нГн=5 (нГн) – входная индуктивность транзистора, где Lб и Lэ индуктивности базы и эмиттера соответственно;

Rвх=rб=11,43 (Ом) – входное сопротивление;

Rвых=Ri=333 (Ом) – выходное сопротивление;

Свых=Ск(треб)=0,9 (пФ) – выходная ёмкость; fmax=fт=4,5 (ГГц) – максимальная граничная частота.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: шпаргалки по математике, дипломная работа по праву, диплом управление.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки