Предыдущая страница реферата | 8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 | Следующая страница реферата

(4.19)

3) Сопротивление эмиттера:

[pic]

(4.20)

4) Напряжение на базе транзистора:

Uб = URэ+0,7В=5,7В

(4.21)
5) Базовый ток транзистора:

Iб=[pic]

(4.22)

6) Ток делителя:

Iд =5(Iб = 1мА,

(4.23) где Iд - ток протекающий через сопротивления Rб1 и Rб2.

Сопротивления делителей базовой цепи:

7) Rб1 =[pic]
(4.24)

8) Rб2 =[pic]

(4.25)

4.5 Переход к однонаправленной модели транзистора

Т.к рабочие частоты усилителя заметно больше частоты [pic], то из эквивалентной схемы можно исключить входную ёмкость, так как она не влияет на характер входного сопротивления транзистора. Индуктивность же выводов транзистора напротив оказывает существенное влияние и потому должна быть включена в модель. Эквивалентная высокочастотная модель представлена на рисунке 4.3.

[pic]

Рисунок 4.3- Однонаправленная модель транзистора

1) [pic],

(4.26) где [pic]- статический коэффициент передачи по току транзистора.

2) [pic] (4.27)

3) Постоянная времени транзистора:

[pic] (4.28)

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: доклад на тему, шпаргалка егэ, физика 7 класс.



Предыдущая страница реферата | 8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки