Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

При чём [pic] и [pic] доложны быть измерены при одном напряжении Uкэ. А так как справочные данные приведены при разных значениях напряжний, то необходимо воспользоваться формулой перехода, которая позволяет вычислить
[pic] при любом значении напряжения Uкэ:

[pic] (3.11)
В нашем случае получаем:

[pic]
Подставим полученное значение в формулу:
[pic], тогда [pic] (Сим) (3.12)
Проводимость база-эмиттер расчитаем по формуле:
[pic], (2.11) где, [pic] – сопротивление эмиттеного перехода транзистора.
Тогда [pic]
Емкость эмиттерного перехода: [pic]
Выходное сопртивление транзистора:
[pic] (3.13)
Из формулы (3.13) найдем проводимость:
[pic] (3.14)
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ найдем по формуле:
[pic]
Крутизну транзистора определим по формуле:[pic] (3.15)
Подставляя численные значения получим:
[pic]

Б) Расчёт однонаправленной модели на ВЧ:

Однонаправленная модель является эквивалентной схемой замещения транзистора, так же как и схема Джиаколетто. Схема представляет собой высокочастотную модель, которая изображена на рисунке 3.3.6. Полное описание однонаправленной модели можно найти в [4].

[pic]

Рисунок 3.3.6

Параметры эквивалентной схемы рассчитываем по приведённым ниже формулам.

Входная индуктивность:

[pic], где [pic]–индуктивности выводов базы и эмиттера, которые берутся из справочных данных.

Входное сопротивление равно сопротивлению базы в схеме Джиаколетто:

[pic]

Выходное сопротивление имеет значение:

[pic]

Выходная ёмкость имеет значение:

[pic]

3.3.4 Расчёт цепей термостабилизации

Выбор схемы обеспечения исходного режима транзисторного каскада тесным образом связан с температурной стабилизацией положения рабочей точки [5].
Это объясняется тем, что ВАХ транзисторов зависят от температуры р-n переходов и, следовательно от температуры окружающей среды. Это приводит к смещению статических характеристик, чем обуславливается не только изменения усилительных параметров транзистора в рабочей точке, но и приводит к перемещению рабочей точки, что приводит к изменению усилительных параметров.

При расчёте цепей термостабилизации нужно для начала выбрать вариант схемы. Существует несколько вариантов схем термостабилизации: эмиттерная стабилизация, коллекторная стабилизация и активная коллекторная стабилизация. Их использование зависит от мощности каскада и от того, насколько жёсткие требования предъявляются к термостабильности. В данной работе рассмотрены две схемы: эмиттерная и активная коллекторная стабилизации.

3.3.4.1 Эмиттерная термостабилизация.

Эмитерная стабилизация применяется в основном в маломощных каскадах и является достаточно простой в расчёте и при этом эффективной. Схема эмиттерной термостабилизации приведена на рисунке 3.3.7.

Рисунок 3.3.7 Схема эмиттерной термостабилизации

Расчитаем основные элементы схемы по следующим формулам:
[pic] (3.16)
[pic] (3.17)
[pic] (3.18)
[pic] (3.19)
[pic] (3.20)
[pic] (3.21)
[pic] (3.22)
[pic]где Iдел. – ток делителя;
PRэ – мощность рассеиваемая на резисторе Rэ .

Выберем напряжение Uэ=3В и по приведенной формуле (3.16) определим сопротивление Rэ :
[pic]

Базовый ток найдем из формулы (3.17).
[pic]

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: виды рефератов, сочинение почему, персонал реферат.



Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки