Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Повторяющиеся значения формул СДНФ
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]

1.6. Выбор и обоснование элементной базы.

Для проектирования было предложено выбрать элементы ТТЛ серий 155 и
555. После сравнения характеристик этих двух серий мною была выбрана 555 серия.

Потому что:

. во-первых, коэффициент разветвления у неё в два раза больше, чем у 155 серии, что в дальнейшем даст возможность не использовать дополнительные резисторы на входе схемы

. во-вторых, элементы 555 серии потребляют меньше мощности в отличие от серии 155, так как их максимальное напряжение и сила тока меньше, чем у 155 серии.

В 555 серию входят различные логические элементы общим числом 98 наименований. Их назначение заключается в построении узлов ЭВМ и устройств дискретной автоматики с высоким быстродействием и малой потребляемой мощностью.

Элементы И – НЕ в 555 серии содержат простые n-p-n транзисторы VT2 –
VT4, многоэмиттерный транзистор VT1, а так же резисторы и диоды, количество которых зависит от конкретного элемента. Такая схема обеспечивает возможность работы на большую емкостную нагрузку при высоком быстродействии и помехоустойчивости.

В качестве индикатора выбран семисегментный индикатор АЛС320Б, один из немногих индикаторов способный отображать не только цифровую информацию, но и буквенную, что необходимо в проектируемом устройстве.

В моей схеме используется следующие микросхемы серии К555:

К555ЛА1, К555ЛА2, К555ЛА4, К555ЛН1, К555ЛН2
1.7. Описание используемых в схеме ИМС и семисегментного индикатора.

К555ЛА1

Два логических элемента 4И-НЕ

|№ |Назначение|№ |Назначение |
|выв.| |выв.| |
|1 |Вход Х1 |8 |Выход Y2 |
|2 |Вход Х2 |9 |Вход Х5 |
|3 |Свободный |10 |Вход Х6 |
|4 |Вход Х3 |11 |Свободный |
|5 |Вход Х4 |12 |Вход Х7 |
|6 |Выход Y1 |13 |Вход Х8 |
|7 |Общий |14 |Ucc |

DIP14

Пластик

|Тип микросхемы |К555ЛА1 |
|Фирма производитель |СНГ |
|Функциональные особенности|2 элемента 4И-НЕ|
|Uпит |5В ± 5% |
|Uпит (низкого ур-ня) |? 0,5В |
|Uпит (высокого ур-ня) |? 2,7В |
|Iпотреб (низкий ур-нь |? 2,2мА |
|Uвых) | |
|Iпотреб (высокий ур-нь |? 0,8мА |
|Uвых) | |
|Iвых (низкого ур-ня) |? |-0.36|мА |
|Iвых (высокого ур-ня) |? 0,02мА |
|P |7,88мВт |
|tзадержки |20нСек |
|Kразвёртки |20 |
|Корпус |DIP14 |

К555ЛА2

Логический элемент 8И-НЕ

|№ |Назначение|№ |Назначение |
|выв.| |выв.| |
|1 |Вход Х1 |8 |Выход Y1 |
|2 |Вход Х2 |9 |Свободный |
|3 |Вход Х3 |10 |Свободный |
|4 |Вход Х4 |11 |Вход Х7 |
|5 |Вход Х5 |12 |Вход Х8 |
|6 |Вход Х6 |13 |Свободный |
|7 |Общий |14 |Ucc |

DIP14

Пластик

|Тип микросхемы |К555ЛА2 |
|Фирма производитель |СНГ |
|Функциональные особенности|элемент 8И-НЕ |
|Uпит |5В ± 5% |
|Uпит (низкого ур-ня) |? 0,5В |
|Uпит (высокого ур-ня) |? 2,7В |
|Iпотреб (низкий ур-нь |? 1,1мА |
|Uвых) | |
|Iпотреб (высокий ур-нь |? 0,5мА |
|Uвых) | |
|Iвых (низкого ур-ня) |? |-0,4|мА |
|Iвых (высокого ур-ня) |? 0,02мА |
|P |4,2мВт |
|tзадержки |35нСек |
|Kразвёртки |20 |
|Корпус |DIP14 |

К555ЛА4

Три логических элемента 3И-НЕ

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: конспекты по истории, курсовики скачать бесплатно, информационные технологии реферат.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки