Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8 | Следующая страница реферата

Як видно з графіків на рис. 13, перемикальні характеристики Uвых1 і Uвых2 перетинаються в точці 3, координати якої можна визначити з рівняння Uвых1=
Uвых2 На підставі цього рівняння можна показати, що перемикальні характеристики перетинаються при вхідній напрузі:

[pic]

При цьому

[pic] тобто в точці перетину
[pic] (12)

Якщо опорна напруга обрана рівним середньому значенню [pic], тобто

[pic] (13) те робочі точки 1 і 2 розташовуються симетрично щодо середньої точки 3 для lпр = 1 (рис. 13).
Тому що в мікросхемі ЕЗЛ транзистори працюють в активній області у всьому робочому діапазоні зміни вхідної напруги, те перешкодостійкість обмежується напругою, при якій коефіцієнт підсилення логічного елемента по відповідним виходах зростає до 1. На підставі (8) можна показати, що коефіцієнт підсилення по інвертуючому виходу стає рівним мінус одиниці [pic] при вхідній напрузі

[pic]
(14) а по неинвертирующему виході-одиниці [pic]1), коли вхідна напруга досягає

[pic] (15)
Коефіцієент К визначається виразом

[pic] (16)

Перешкодостійкість ІМС, яка визначається як різниця вхідних напруг у робочих струмах і при одиничному коефіцієнті підсилення, розраховується за формулами
[pic] які виходять на підставі формул, виведених вище. Помітимо, що при lпр=1 перешкодостійкість для логічної 1 і логічного 0 по входу виявляється однаковою. Зі збільшенням числа провідних транзисторів lпр симетрія ІМС по перешкодостійкості порушується; перешкодостійкість для логічної 1 стає більше перешкодостійкою для логічного 0.
При визначенні навантажувальної здатності і коефіцієнта об'єднання по входу в ИМС на перемикачах струму припустимі значення перешкодостійкості не є визначальними, як це має місце для інших типів логічних елементів. Для розглянутої групи ИМС зазначені параметри визначаються припустимим збільшенням тривалості перехідних процесів, тому що ІМС на перемикачах струму є швидкодіючими і саме цей параметр для них є визначальним.

Підвищення швидкодії елемента ЕЗЛ досягається шляхом помітного збільшення споживаної потужності. Середнє значення цієї потужності можна розрахувати по формулі

[pic] (17) у який перший доданок [pic] — це потужність, споживана перемикачем струму, а другий доданок [pic] - середня потужність, споживана емітерними повторювачами. Виразивши на підставі (13) напругу Ек через Uоп, [pic]Uлог та Uбэ.сд , одержимо:

[pic] (18)
Подальше удосконалення логічних елементів на перемикачах струму призвело до розробки ІМС емітерно-зв’язаної логіки з емітерними повторювачами на вході (скорочено ЕЕЗЛ елементи). У мікросхемі елемента ЕЗЛ (рис. 12) емітерні повторювачі вмикаються до виходів елемента для знімання інформації. При цьому перемикач струму складається з вхідних транзисторів, що використовуються для введення інформації і транзистора з опорною напругою. До виходу кожного повторювача підключають транзистори, кожний з який є вхідним елементом наступних перемикачів струму.

3. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧІ

Згідно з раніше вказаним, існує багато мікросхем , які працюють на на емітерно-зв’язаній логіці. Для їх дослідження необхідно було розробити та виготовити експериментальний макет, на якому було б можливо проводити дослідження принципа їх роботи.

Крім того необхідно було розробити методичні вказівки щодо дослідження логічних елементів емітерно-зв’язаної логіки на цьому макеті.

4.ВИБІР СХЕМИ

Виберемо нескладну схему на мікросхемі К137ЛЄ3, яка складається з двох елементів АБО-НІ(Рис.14).

Мікросхема має 14 ніжок. 7-ма ніжка відповідає напрузі живлення +5 В,
14-та – заземленню. Перша ніжка не використовується. На рис. 14 також вказана повна цокольовка схеми, а на рис. - таблиця відповідності роботи цієї мікросхеми.

[pic]

Рис.14. Цокольовка мікросхеми К137ЛЕ3 та її принципова схема

[pic]

Рис. 15. Таблиця відповідності мікросхеми К137ЛЕ3 .

Таблицю відповідності ми наводимо для одного елемента АБО-НІ тому, що мікросхема складається з двох таких однакових елементів.

Для запобігання пошкодження мікросхеми через перенапругу на вході поставлено стабілізатор напруги КРЕН5А розрахований на напругу 5В. Задля полегшення спостерігання проходження імпульсів на макеті під?єднано два світлодіоди. Для запобігання їх ушкодження встановлені два резистори на 330
Ом кожний.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат перспектива, доклад на тему человек человек, реферат по физкультуре.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки