Гальванотехника и ее применение в микроэлектронике
Категория реферата: Рефераты по технологии
Теги реферата: налогообложение реферат как правильно реферат, написание дипломной работы
Добавил(а) на сайт: Kapustin.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 | Следующая страница реферата
Никелевые покрытия применяют в промышленности для защиты от коррозии изделий из стали и цветных металлов, для повышения износостойкости трущихся поверхностей. Никелевые покрытия по отношению к железу являются катодными и могут служить защитными только при условии отсутствия в них пор. Поэтому сталь покрывают сначала слоем меди (25 –35 мкм), а затем никелем (10 – 15мкм). Наиболее широко применяют сульфатно-хлоридные электролиты. Из электролитов с добавками производных бутиндиола осаждаются мелкозернистые, эластичные, ровные блестящие покрытия. Основной недостаток покрытия малая коррозионная стойкость, обусловленная включениями серы. Избежать этого можно нанесением двух- или трехслойных покрытий.
Повышенной стойкостью отличаются композиционные никелевые покрытия, содержащие мелкодисперсные диэлектрические частицы – каолин, карбиды и др.
Оловянирование.
Оловянирование применяют для защитыизделий от коррозии в органических кислотах, содержащихся в пищевых продуктах. Покрытия улучшают электрическую проводимость и облегчают пайку контактов. Оловянирование производят в кислых (сульфатных, фтороборатных), а также щелочных (станнатных, пирофосфатных и др.) электролитах. Наиболее распространены сульфатные электролиты.
Серебрение.
Серебрение широко применяется в радиопромышленности, радиоэлектронике, производстве средств связи и ЭВМ для обеспечения высокой электрической
проводимости контактов, покрытия внутренней поверхности волноводов, монтажной проволоки.
Для серебрения используют цианистые электролиты, отличающиеся хорошей
рассеивающей способностью и высоким качеством осадков.
Оборудование для нанесения гальванических покрытий.
Для подготовки изделий к покрытию применяют в основном стационарные ванны.
Обезжиривают изделия в сварных прямоугольных ваннах, изготовленных из листовой стали. Ванны для обезжиривания в большинстве случаев снабжены подогревом и имеют специальные вентиляционные устройства. В ваннах предусмотрены специальные устройства «карманы» для удаления с поверхности раствора пены и масла.
Для травления меди и ее сплавов применяют керамиковые ванны, оборудованные вентиляционными устройствами.
Ванны для нанесения гальванических покрытий делают в основном из стали и в случае необходимости выкладывают внутри различными изоляционными материалами. Для кислых электролитов для внутренней обкладки применяется винипласт. Их используют для кислого цинкования, лужения, кадмирования, лужения, меднения, никелирования, осаждения сплава олово-свинец.
Для серебрения и золочения изготавливают фарфоровые, керамиковые или эмалированные ванны небольших размеров.
При интенсифицированном режиме большинство электролитов требуют
подогрева, перемешивания и непрерывной фильтрации для чего ванны оборудуют
соответствующими специальными устройствами: бортовым вентиляционным отсосом
и электроподогревателями. Для перемешивания электролитов применяют сжатый
воздух или механические мешалки, или движущиеся штанги. Для фильтрации
применяют различные устройства периодического или непрерывного действия.
При фильтрации электролит откачивается со дна ванны и пропускается через
фильтр, затем снова попадает в ванну. Для
периодической фильтрации применяются передвижные фильтры, состоящие из
насоса, фильтра, подающей и отводящей труб.
Для механизации процессов подготовки и наведения гальванических покрытий применяются полуавтоматические и автоматические ванны, также автоматизированные установки с программным обеспечением.
Все гальванические процессы протекают в основном под действием постоянного тока низкого напряжения. Для этого широко применяются выпрямители, создающие индивидуальное питание для каждой ванны (в соответствии с потребляемой силой тока).
Применение гальванотехники в микроэлектронике.
Удаление загрязнений с поверхности подложек.
Электрические характеристики интегральных микросхем (ИМС) и их надежность во многом обуславливаются степенью совершенства кристаллической решетки и чистотой обрабатываемой поверхности пластин и подложек. Поэтому обязательным условием получения бездефектных полупроводниковых и пленочных структур является отсутствие на поверхности пластин и подложек нарушенного слоя или каких-либо загрязнений.
В условиях производства ИМС пластины и подложки соприкасаются с
различными средами, и полностью защитить их от адсорбции различного рода
примесей невозможно. В тоже время получить идеально чистую поверхность
(без посторонних примесей) тоже невозможно.
Для удаления загрязнений на поверхности и приповерхностном слое, в том числе тех, которые находятся в химической связи с материалом пластины или подложки, используют химические методы удаления. Они основаны на переводе путем химической реакции загрязнений в новые соединения, которые затем легко удаляются. Одним из таких методов является электрохимическое травление полупроводников.
Процесс травления пластин и подложек состоит в растворении их
поверхности при взаимодействии с соответствующими химическими реагентами
(щелочами, кислотами, их смесями и солями).
В соответствии с электрохимической теорией взаимодействие между полупроводником и травителем обусловлено тем, что на поверхности пластины при погружении ее в травитель существуют анодные и катодные микроучастки, между которыми возникают локальные токи. На анодных участках происходит окисление кремния с последующим растворением оксида и образованием кремний- фтористоводородной кислоты, на катодах – восстановление окислителя (азотной кислоты). В процессе травления микроаноды и микрокатоды непрерывно меняются местами. Результирующее уравнение реакции при этом имеет вид:
3Si + 4HNO3 + 18HF = 3H2SiF6 + 4NO + 8H2O
Для ряда травителей энергия активации химической реакции (Еа на порядок и более превышает энергию активации, определюящую скорость диффузии реагента. В этом случае скорость травления определяется скоростью химической реакции vр:
Vтр = vр( (NA)a (NB)b exp(- (Еа/(RT),
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: экономический диплом, реферат на тему право, банк рефератов 5 баллов.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 | Следующая страница реферата