Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8 | Следующая страница реферата

Снятие фасок с кромок полупроводниковых пластин производят для достижения нескольких целей. Во-первых, для удаление сколов на острых кромках пластин, возникающих при резке и шлифовании. Во-вторых, для предотвращения возможного образования сколов в процессе проведения операций, непосредственно связанных с формированием структур приборов.
Сколы, как известно, могут служить источниками структурных дефектов в пластинах при проведении высокотемпературных обработок и лажен являться причиной разрушения пластин. В-третьих, для предотвращения образования на кромках пластин утолщения слоев технологических жидкостей (фоторезистов, лаков), которые после затвердевания нарушают плоскостность поверхности.
Такие же утолщения на кромках пластин возникают эри нанесении на их поверхность слоев полупроводниковых материалов и диэлектриков.

Формирование фасок производят механическим способом (шлифованием и полированием), химическим или плазмохимическим травлением. Плазмохимическое травление фасок основано на том, что острые кромки в плазме распыляются с большей скоростью, чем другие области пластин, ввиду того, что напряженность электрического поля на острых кромках существенно выше. Этим способом можно получить фаска с радиусом закругления не более 50-100 мкм.
Химическое травление обеспечивает больший радиус фасок, однако и химическое, и плазмохимическое травление не позволяют изготовлять фаски различного профиля. Кроме того, травление является плохо управляемым и контролируемым процессом, что ограничивает его широкое промышленное применение.

В производстве чаще всего используют способ формирования фасок профильным алмазным кругом. Схема обработки пластины 1 алмазным кругом 2 показана на рис.. 10. Этим способом могут быть изготовлены фаски разнообразной формы (рис. 11, а-в). На практике чаще всего формируют фаски, форма которых показана на рис. 11, а. В процессе обработки пластина закрепляется на вакуумном столике станка и вращается вокруг своей оси.
Частота вращения пластины 10-20 об/мин, алмазного круга 4000-10000 об/мин.
Алмазный круг прижимается к пластине с усилием 0,4-0,7 Н. Ось вращения круга перемещается относительно оси вращения вакуумного столика так, чтобы обработке

[pic]

Рис. 10. Схема

Рис. 11

формирования фаски про- Варианты исполнения фаски:

фильным алмазным кругом: а - с закругленнными кромками;

1-полупроводниковая пластина б - закругленной переферией

2 - алмазный круг. в - со скошенными кромками.

никовые соединения шлифуют при давлении в 1,5-2,5 раза меньшем, чем кремний. В процессе шлифования пластины периодическиподвергают визуальному осмотру и контролю по толщине.

Наряду с двусторонним шлифованием широкое распрестранение получило одностороннее шлифование пластин, схема которого приведена на рис. 12.
Пластины 2 помещают , в сепаратор 3 и прижимают грузом 4 к шлифовальнику 1.

[pic]

Рис. 12 Схема одностороннего

шлифования связанным абразивом:

1 - шлифовальщик, 2- пластина, 3 -сепататор,

4 - груз

На шлнфовальник подают абразивную суспензию. Обработка, происходит так же, как и при двустороннем шлифовании. Таким способом возможно шлифовать пластины разной толщины. Однако между пластиной и грузом может попадать инородное включение (абразив, частицы полупроводникового материала, металлическая стружка и т. п.), ухудшающее точность обработки. Поэтому - чаще пластины при одностороннем шлифовании крепят к шлифовальной головке.

При шлифовании используют три способа крепления пластин: приклеиванием, оптическим контактом и вакуумной фиксацией. Основными требованиями крепления пластин являются строгая параллельность базовой поверхности пластин поверхности шлифовальной головки, а также надежность крепления.

§ 7. Шлифование пластин свободным и связанным абразивом

Основным назначением шлифования полупроводниковых пластин является исправление погрешностей их геометрической формы после резки Несмотря нате что глубина нарушенного слоя после шлифования примерно такая же, как и после резки,следует указать на большую равномерность глубины нарушений, вносимых шлифованием.

[pic]

Рис. 13. Схема двустороннего шлифования свободным абразивом:

1 - система охлождения, 2,7 - шлифовальники,

3,6 - внутренняя и наружная шестерни,

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат этикет, план конспект урока, реферати українською.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки