Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 | Следующая страница реферата

Х

Х

n+ p i p+ p + p n n+ в) г)

Е

ЕПР

?

L

X

Ме n n+ д)

Мал.2.1.Розподіл електричного поля в діодному проміжку ЛПД

У такій структурі лавинна область розташовується в середині між двома пролітними областями для електронів і дірок і в енергообміні беруть участь обидва типи носіїв. Структура являє собою як би два послідовно включених ЛПД, тому зростає не тільки ефективність, але й опір діода, це у свою чергу дозволяє збільшити площу структури і вихідної потужності.

Ця діодна структура отримана за допомогою подвійної епітаксії.

При виготовленні ЛПД-структур необхідно забезпечити високу точність легування: переходи між областями n+, n , p і р+ повинні бути дуже різкими, а товщина n і р - області і концентрація в них домішок заданими з точністю до декількох відсотків. Щоб уникнути небажаного послідовного опору, n+ і р+ - області повинні бути по можливості тонкими і сильнолегованими. Спочатку необхідно вибрати підкладку. Для забезпечення однорідності параметрів виготовлених приладів підкладка повинна бути монокристалічною із низькою концентрацією дефектів.

Робочу поверхню шляхом механічного або хімічного полірування варто довести до дзеркального стану. Концентрація легуючої домішки не повинна перевершувати розчинності домішки в кремнії у твердій фазі.

Звичайно використовуваними донорними домішками в кремнії служать миш'як і фосфор, а акцепторною домішкою служить бор.

Всі процеси епітаксіального нарощування в кремнії засновані на використанні парофазних реакцій. У якості вихідних матеріалів звичайно застосовують Si2H2Cl2 і SiH4. При високій температурі в атмосфері водню ці з'єднання розкладаються з утворенням Si, Н2 і НСl.

Для одержання однорідних монокристалічних прошарків необхідно підтримувати температуру підкладки в жорстко обмеженому інтервалі температур, різноманітному для кожного з вищезгаданих вихідних з'єднань. Швидкість епітаксіального нарощування сильно залежить від температури і тому надзвичайно важливе точне завдання температури й однорідність її розподілу по всій площі пластини. Велике значення також має точна підтримка заданої швидкості потоків газів, що беруть участь у реакції. Для введення легуючої домішки в плівку, що вирощується, використовують декілька методів, одним із них є легування з газів і парів з'єднань, що містять домішки. Введення домішок до складу газоподібних речовин провадитися з використанням фосфіна РН3, арсіна АsH3, діборана В2Н6 і деяких інших газів, що добавляються у водень або інертні гази в концентраціях від 10-4 до

1%, і ця низька концентрація повинна добре підтримуватися. Після виготовлення напівпровідникової структури здійснюють металізацію.

При виборі металізованого покриття істотні два основних поняття. По-перше, використовуваний метал (або метали) повинний утворювати омічний контакт із дуже малим перехідним опором. По-друге, металізація повинна призводити до створення надійного приладу. При виготовленні НВЧ-приладів застосовують комбінації типу Сг-Аu або Тi-

Аu. Обидві комбінації мають хорошу адгезію, забезпечують дуже низькі контактні опори і до них легко приєднати контакти. Проте при підвищених температурах спостерігається перенос матеріалу, що призводить до катастрофічних результатів. Один із методів рішення проблем, пов'язаних із взаємною дифузією металів, заснований на застосуванні бар'єрного металу, що розділяє прошарок власне- контактного металу від зовнішнього прошарку з інертного металу - золота. Відмінними бар'єрами, що розділяють метали один від одного, є паладій і платина.

Виготовлений діод монтують у НВЧ - корпус. Корпус забезпечує захист кристала від впливів навколишнього середовища. Основні вимоги, якою повинна задовольняти конструкція корпуса, полягає в забезпеченні малих значень паразитних параметрів СК і Lк і малого теплового опору.

Перша вимога стає вирішальною у більш високочастотному діапазоні, коли значення паразитної ємності має порядок активної області діодної структури, друга вимога грає основну роль у більш низькочастотному діапазоні при роботі діода з високими рівнями потужності. Звичайно застосовують металокерамічні корпуса з використанням чопа з високоглинистої кераміки з ? = 9-10, що забезпечують жорсткі вимоги до механічної і кліматичної стійкості. Типова структура корпуса показана на малюнку 2.2.

[pic]

Мал.2.2. Металокерамічний корпус діоду:

1 - тримач, 2 - шайба припою, 3 - втулка, 4 - шайба припою, 5 - кришка, 6 - фланець, 7 - кристал.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: дипломная работа аудит, сочинение бульба.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки