Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 | Следующая страница реферата

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

де j1 - густина потоку дірок; j2 - густина потоку електронів;

U1 - швидкість дірок;

U2 - швидкість електронів; gf -швидкість генерації електронно-дірочних пар, обумовлена електричним полем;

[pic] - густина рухливих зарядів дірок і електронів ;

[pic] - густина акцепторів і донорів;

Е - напруженість електричного поля;

Vд - напруга, прикладена безпосередньо до активного прошарку кристалу; iд – повний струм через діод;

V – напруга, прикладена до діода;

Rs - омічний опір діода;

D1, D2 - коефіцієнти дифузії для дірок і електронів;

L - довжина кристала;

[pic]- рухливість дірок і електронів ;

Uн1, Uн2 - швидкість насичення дірок і електронів ; iki - находяться з рішення рівнянь коливальних контурів, що мають вид:

[pic] i=1, 2, 3.

Граничні умови мають вид:

[pic]

[pic]

[pic]

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: дипломная работа аудит, сочинение бульба.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки