Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

na=Na * (1+exp(-(F-Ea)/kT)) –1 (2)

В этих формулах Na и Nd Эффективные плотности состояний атомов донорной и акцепторной примесей, а Ed и Ed их энергетические уровни.

Из формул (1) и (2) видно, что доля ионизированных атомов примеси зависит не только от температуры, но и от положения энергетического уровня примеси в запрещенной зоне. При фиксированной температуре ионизация примеси будет тем меньше, чем ближе ее энергетический уровень к центру заперщенной зоны.

Далее рассматривается задача с малыми концентрациями примесей. В качестве условия малости концентрации выдвигается условие, что эффективные плотности состояний каждой из примесей много меньше эффективных плотностей состояний в валентной зоне и зоне проводимости. Далее рассматриваем задачу с малыми концентрациями примесей. Количество носителей заряда в зоне проводимости полупроводника определяется как сумма носителей заряда, ионизированных с каждого из донорных уровней в отдельности. Таким образом

nd=?Ndi * (1+exp(-(Edi-F)/kT)) –1

( 3)

Далее концентрации «дырок» в валентной зоне. Можно записать аналогичное соотношение.

na=?Nai * (1+exp(-(F-Eai)/kT)) –1

( 4)

При записи выражений (3) и (4) не учтено влияние переброса носителей заряда из валентной зоны в зону проводимости. Однако можно показать, что этот вклад много меньше вклада от примесей.

Используя определение проводимости вещества j=?? , будем иметь выражение, связывающее проводимость полупроводника с концентрациями носителей заряда в нем.

?’e nd ?d +e na ?a

( 5)

Подставляя в (5) выражения для nd и na получаем выражение для ?

?’e ( ?d ?Ndi * (1+exp(-(Edi-F)/kT)) –1+ ?a ?Nai * (1+exp(-(F-
Eai)/kT)) –1)

?’ (? e ?d Ndi * (1+exp(-(Edi-F)/kT)) –1+ ? e ?a Nai * (1+exp(-(F-
Eai)/kT)) –1)

Обозначая

?di ’e ?d Ndi * (1+exp(-(Edi-F)/kT)) –1

?ai ’e ?a Nai * (1+exp(-(F-Eai)/kT)) –1

Преобразуем выражение для ? к виду

?’ ??di + ??ai (

6)

В последнем выражении величины ?di и ?ai являются проводимостями, обусловленными ионизацией i-ой донорной или акцепторной примеси (далее эти величины называются парциальными проводимостями ). Таким образом суммарная проводимость полупроводника рассчитывается как сумма парциальных проводимостей от каждой из примесей.

Зависимость количества адсорбированных молекул от температуры.

Ударяясь о поверхность твердого тела молекулы газа адсорбируются. Время адсорбции или пребывания молекул в адсорбированном состоянии зависит от теплоты адсорбции и описывается уравнением Френкеля

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат власть, курсовые и дипломные работы.



Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки