Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова
Категория реферата: Рефераты по информатике, программированию
Теги реферата: реферат традиции, чс реферат
Добавил(а) на сайт: Тукай.
Предыдущая страница реферата | 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
а) для выращивания германиевых монокристаллов различного, профиля сконструирована, изготовлена и прошла опытно-промышленные испытания аппаратура, пригодная для промышленного применения, причем в основу технологии положено контактное формообразование за счет капиллярных сил в несмачиваемых формообразователях;
б) осуществлено выращивание профильных монокристаллов кремния по нескольким вариантам электромагнитного бесконтактного формообразования и наиболее успешно с применением контактного, смачиваемого расплавом формообразователя.
Работы над выращиванием монокристаллов кремния, по-видимому, находятся еще на этапе решения задачи формообразования и публикаций, посвященных детальному изучению свойств профильных монокристаллов кремния, еще нет. Известно, однако, что в исследовательских лабораториях некоторых крупных фирм США “Texas Instrument”, “Dow Corning Corp.”, “Tyco Laboratories” сравнительно давно работают над получением профильных монокристаллoв кремния в форме лент и пластин, причем получены даже бездислокационные образцы.
Процесс бестигельного вытягивания кремниевых лент с пьедестала с применением механического формообразователя, формирующего мениск расплава, разработанный фирмой “Texas Instrument”, позволяет получать ленты толщиной 500 мкм, шириной 12 мм и длиной до 50 см. Бездислокационные ленты можно получить, если использовать бездислокационную затравку и методику затравливания с образованием тонкой шейки, как это предложено Дэшем для вытягивания бездислокационных слитков. Вытягивание лент производят в направлении <2-1-1>, так что поверхность ленты соответствует грани (111). Однородность удельного сопротивления кремниевых лент обеспечивается в пределах ±10%, поверхность лент не имеет механических нарушений.
Фирма “Dow Corning Corp.” использует для получения кремниевых лент метод выращивания с пленочной подпиткой при краевом ограничении роста (метод EFG). Если материалом формообразователя служит графит, кремниевые ленты содержат примесь углерода в количестве 10 ат. ч на миллион, примесь кислорода в количестве 6 — 40 ат. ч на миллион и меньшее количество других примесей. В настоящее время доказана возможность получения бездислокационных кремниевых лент указанным способом, но кристаллографические дефекты поверхности остаются еще серьезной проблемой.
Скачали данный реферат: Chizh, Grachjov, Jerdniev, Токмаков, Чумаков, Sola, Авдий.
Последние просмотренные рефераты на тему: реферат на тему экономика, налоги и налогообложение, реферат по педагогике, оформление доклада.
Предыдущая страница реферата | 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16