Плёночные и гибридные интегральные схемы

Категория реферата: Рефераты по математике
Теги реферата: конспект урока 10 класс, решебник класс по математике
Добавил(а) на сайт: Naumov.

Широкое распространение получили гибридные ИС – интегральные схемы, в которых применяются плёночные пассивные элементы и навесные элементы

(резисторы, конденсаторы, диоды, оптроны, транзисторы), называемые компонентами ГИС. Электрические связи между элементами и компонентами осуществляются с помощью плёночного или проволочного монтажа.

Реализация функциональных элементов в виде ГИС экономически целесообразна при выпуске малыми сериями специализированных вычислительных устройств и другой аппаратуры. Высоких требований к точности элементов в ТЗ нет. Условия эксплуатации изделия нормальные.

Навесными элементами в микроэлектронике называют миниатюрные, обычно бескорпусные диоды и транзисторы, представляющие собой самостоятельные элементы. Иногда в гибридных ИС навесными могут быть и некоторые пассивные элементы, например, миниатюрные конденсаторы с такой большой емкостью, что их невозможно осуществить в виде пленок.

Это могут быть и миниатюрные трансформаторы. В некоторых случаях в гибридных ИС навесными являются целые полупроводниковые ИС.

Проводнички от транзистора или от других навесных элементов присоединяются к соответствующим точкам схемы чаше всего методом термокомпрессии (провод при высокой температуре прижимается под большим давлением).

Гибридные ИС изготовляются следующим образом. Сначала делается подложка. Ее тщательно шлифуют и полируют. Затем наносятся резистивные пленки, далее нижние обкладки конденсаторов, катушки и соединительные линии, после этого диэлектрические пленки, а затем снова металлические. Навешиваются («приклеиваются») активные и другие дискретные элементы, и их выводы присоединяются к соответствующим точкам схемы. Схема помещается в корпус и присоединяется к контактным штырькам корпуса. Производится испытание схемы. Далее корпус герметизируется и маркируется, т, е. на нем делаются необходимые условные обозначения.

Разновидность гибридных ИС – так называемые микросборки. Обычно в их составе различные элементы, компоненты и интегральные схемы.

Особенность микросборок состоит в том, что они являются изделиями частного применения, т. е. изготовляются для конкретного типа аппаратуры. А обычные ГИС представляют собой изделия общего применения, пригодные для различных видов аппаратуры. Иногда микросборками также называют наборы нескольких активных или пассивных элементов, находящихся в одном корпусе и имеющих самостоятельные выводы. Иначе эти наборы еще называют матрицами.

IV. Монтаж резисторов, конденсаторов.

На рис. 1 представлены основные варианты конструктивного исполнения конденсаторов (бумажных, металлобумажных, пленочных и металлопленочных, керамических, слюдяных и электролитических), для горизонтальной и вертикальной установки.

Рис. 1. Конструктивные формы конденсаторов а - защищенный керамической трубкой; б - цилиндрический свободнонесущий; в - цилиндрический в стаканчике; г - трубчатый; д - пластинчатый; е - трапециевидный; ж - цилиндрический вертикальный; з

- с цоколем; и - конденсатор с выводами зажимами; к - рулонный с сердечником из полиамида; л – призматический

У резисторов примерно такое же исполнение.

При монтаже необходимо предупреждать повреждения защитного слоя лака; при формовке выводов изгиб не должен быть ближе двух диаметров

(толщин) вывода из-за возможной разгерметизации. При пайке электролитических конденсаторов необходимо у плюсового вывода обеспечивать теплоотвод. Пленочные и металлопленочные конденсаторы чувствительны к действию растворителей. При пайке выводов возможно также повреждение из-за перегрева навесных элементов.

Монтаж диодов и транзисторов. Внешне эти навесные элементы гибридных ИС (рис.2) незначительно различаются и способы их монтажа почти не отличаются.

При формовке выводов расстояние до корпуса от места начала изгиба должно быть большее или равно 1,5-3 мм, расстояние до мощных тепловыделяющих элементов выбирать возможно больше, температура пайки не более 245°С, время пайки – < 5с.

Рис. 2. Конструктивные формы диодов и транзисторов а – транзистор в круглом корпусе; б – транзистор в пластмассовом корпусе; в – мощный транзистор; г – диод в круглом корпусе; д – диод в пластмассовом корпусе; е – диод в стеклянной оболочке; ж – мощный выпрямительный диод; з – диодная сборка

Интегральные пленочные резисторы используются в тканных устройствах коммутации.

Печатная плата с интегральными пассивными элементами:

Рис. 3.

На рисунке 3 обозначено:

1. микросхемы

2. интегральные пленочные резисторы

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки