Плёночные и гибридные интегральные схемы

Категория реферата: Рефераты по математике
Теги реферата: конспект урока 10 класс, решебник класс по математике
Добавил(а) на сайт: Naumov.

3. межслойная пленочная коммутация

4. емкостные слои.

Итак, ни тонко-, ни толстоплёночная технология не обеспечивают выполнение всех требований схемотехники, так как они обеспечивают изготовление только пассивных элементов и проводников без активных элементов. В полупроводниковых ИМ пассивные элементы возникают как побочный продукт, их характеристики хуже, чем у дискретных элементов.

Ограниченные линейность, температурная стабильность и большой допуск на значение номиналов резисторов и конденсаторов ограничивают применение полупроводниковых ИМ, однако, отдельные свойство тонко- и толстоплёночных микросхем хорошо дополняют друг друга; комбинация их обеспечивает создание высококачественных микросхем, как уже упоминалось в данной работе при описании гибридно-пленочных интегральных микросхем,которые реализуются при монтаже дискретных бескорпусных элементов или полупроводниковых ИМ в интегральные тонко- или толстоплёночные схемы

Достоинства гибридных микросхем:

-возможность предварительного выбора дискретных элементов,

-низкую стоимость подложек и возможность применения значительно больших номиналов тонкоплёночных конденсаторов и мощных резисторов.

Недостатком является дополнительные контактные площадки для монтажа дискретных элементов или полупроводниковых ИМ, которые можно выполнить по тонкоплёночной технологии.

Гибридные ИМ реализуют на специально разработанных элементах, совместимых с плоской подложкой тонкопленочной микросхемы

(транзисторы с балочными и шариковыми выводами); распространена установка транзисторов в керамические фасонные корпуса с четырьмя металлизированными участками, которые связаны с выводами транзистора тонкими проволоками. Недостаток специальной формы - невозможность перекрещивания проводов.

Навесные элементы монтируют часто в гибридные микросхемы пайкой.

Припой либо предварительно наносят на контактные площадки, либо поступает на место пайки на луженых выводах; чаще всего припой в виде пасты наносят на контактные площадки способом трафаретной печати.

Для защиты от внешних воздействий гибридные ИС герметизируют пластмассой или помещают в герметические металлические, стеклянные и керамические корпуса.

V. Совмещенные интегральные микросхемы.

Отличительной особенностью совмещенных ИМ является применение дополнительных резистивных и диэлектрических материалов наряду с кремнием, его двуокисью и чистыми металлами для межэлементных соединений, а также независимость принципа действия тонкоплёночных элементов от кремния, так как вместо изоляции p-n переходом используют более совершенную изоляцию плёнками двуокиси кремния.

Выход годных из-за большого числа операций уменьшается. Слои осаждают способами термовакуумного осаждения или катодного распыления, рисунок фотолитографией или на основе применения свободных масок.

Наибольшие технологические трудности возникают из-за температурных нагрузок при термокомпрессии и креплении кристалла к основанию корпуса (может измениться номинал тонкоплёночных интегральных элементов.

VI. Многокристальные гибридные интегральные микросхемы.

Для повышения плотности монтажа и улучшения контактирования объединяют в одном корпусе несколько тонкоплёночных и бескорпусных полупроводниковых ИМ, выполненных на различных подложках, в один общий корпус - в многокристальную ИМ. Это часто повышает выход годных изделий.

Преимущество такой ИМ - в возможности предварительного подбора отдельных элементов или микросхем, что определят большую гибкость на этапе проектирования.

Недостатки - большие затраты ручного труда при монтаже в крупносерийном производстве, поэтому нецелесообразно применение многокристальных ИМ в мелкосерийном и опытном производстве и при изготовлении специальных ИМ.

Список использованной литературы.

1. Технология и автоматизация производства радиоэлектронной аппаратуры / И.П. Бушминский, О.Ш. Даутов и др.: Под. ред. А.Н.

Достанко и Ш.М. Чибдарова. - М: Радио и связь, 1989.- 624 с.: ил.

2. Ханке Х.-И.,Фабиан Х. Технология производства радиоэлектронной аппаратуры: Пер. с нем./ Под ред. В.Н.Черняева.- М.:

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки