Элементы квантовой механики
Категория реферата: Рефераты по науке и технике
Теги реферата: сеть рефератов, антикризисное управление предприятием
Добавил(а) на сайт: Koptil'nikov.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 | Следующая страница реферата
+ -n+ ствие эффекта поля не оттеснятся
U34 вглубь ПП), а затем образуется инверс-
ный слой n – проводимости, т.е. инду-
цируется. При дальнейшем увеличении
U3>0 ширина канала практически не
изменяется (1-2 мкм), а изменяется концентрация n- носителей (е). Передаточные характеристики Iс = ¦( Uз) для МДП транзисторов с индуцированным n каналом изображены на рисунке.
Ic Характеристикой является точка по оси Х, соответ-
Uc3 Uc2 ствующая напряжению на затворе, при котором
индуцируется канал (пороговое напряжение). Из
Uc1 характеристики видно, что МДП транзистор может
работать только в режиме обогащения (при положи-
тельных напряжениях на затворе). Выходные
Uc3 >Uc2 >Uc1 характеристики имеют вид:
Ic
Uз
На характеристиках видны 2 области: крутая и пологая. Uз3
Пологая область объясняется теми же процессами, что Uз2
и в полевом Т. Усилительные свойства транзистора
характеризуются крутой областью. Uз1
g = dIc/dUз, при Uc = const Uз = Uпотока
В общем случае транзистор можно рассматривать как
Четырёхполюсник (четвёртый электрод – подножка), Uз3 >Uз2 >Uз1>0 Uc
Которая может выполнять функции затвора. Поэтому иногда вводят параметр – крутизна по подножке, в отличие от крутизны по затвору.
gп = dIc/dUп, при Uc = const
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферати українською, организм реферат.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 | Следующая страница реферата